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1. (WO2017175686) POWER MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
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Pub. No.:    WO/2017/175686    International Application No.:    PCT/JP2017/013741
Publication Date: 12.10.2017 International Filing Date: 31.03.2017
IPC:
H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H02M 7/48 (2007.01)
Applicants: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP)
Inventors: IWAHASHI Seita; (JP).
SAITO Masao; (JP)
Agent: MIYOSHI Hidekazu; (JP).
TERAYAMA Keishin; (JP)
Priority Data:
2016-075161 04.04.2016 JP
2016-089103 27.04.2016 JP
Title (EN) POWER MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) MODULE DE PUISSANCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) パワーモジュールおよびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A power module (100) comprises: a first insulating substrate (10) which is provided with a first conductive layer (14D); a first semiconductor device (Q4) which is provided on the first conductive layer (14D), and one of the main electrodes of which is connected to the first conductive layer (14D); a second insulating substrate (20) which is provided on the first insulating substrate (10) so as to face the first semiconductor device (Q4), and which is provided with a second conductive layer (6U) and a third conductive layer (14U) on the front side and the back side thereof, respectively; a first columnar electrode (16) which connects the first conductive layer (14D) with the second conductive layer (6U); and a second columnar electrode (17) which connects the other of the main electrodes of the first semiconductor device (Q4) with the third conductive layer (14U). The second conductive layer (6U) is connected to either one of a positive electrode pattern or a negative electrode pattern which supplies power to the first semiconductor device (Q4), and the third conductive layer (14U) is connected to the other of the positive electrode pattern and the negative electrode pattern. The present invention provides a power module which can be downsized and exhibits high reliability, and a method for manufacturing the same.
(FR)La présente invention concerne un module de puissance (100) comprenant : un premier substrat isolant (10) qui est pourvu d'une première couche conductrice (14D) ; un premier dispositif à semi-conducteur (Q4) qui est disposé sur la première couche conductrice (14D), et dont l'une des électrodes principales est connectée à la première couche conductrice (14D) ; un deuxième substrat isolant (20) qui est disposé sur le premier substrat isolant (10) de manière à faire face au premier dispositif à semi-conducteur (Q4), et qui est pourvu d'une deuxième couche conductrice (6U) et d'une troisième couche conductrice (14U) sur son côté avant et son côté arrière, respectivement ; une première électrode en colonne (16) qui connecte la première couche conductrice (14D) à la deuxième couche conductrice (6U) ; et une deuxième électrode en colonne (17) qui connecte l'autre des électrodes principales du premier dispositif à semi-conducteur (Q4) à la troisième couche conductrice (14U). La deuxième couche conductrice (6U) est connectée à l'un quelconque parmi un motif d'électrode positive ou un motif d'électrode négative qui fournit de l'énergie au premier dispositif à semi-conducteur (Q4), et la troisième couche conductrice (14U) est connectée à l'autre motif parmi le motif d'électrode positive et le motif d'électrode négative. La présente invention concerne un module de puissance dont la taille peut être réduite et qui présente une fiabilité élevée, et son procédé de fabrication.
(JA)パワーモジュール(100)は、第1導電層(14Dを備える第1絶縁基板(10)と、第1導電層(14D)の上に配置され、主電極の一方が第1導電層(14D)と接続された第1半導体デバイス(Q4)と、第1絶縁基板(10)上に第1半導体デバイス(Q4)と対向して配置され、表面および裏面に第2導電層(6U)および第3導電層(14U)を備える第2絶縁基板(20)と、第1導電層(14D)と第2導電層(6U)とを接続する第1柱状電極(16)と、第1半導体デバイス(Q4)の主電極の他方と第3導電層(14U)とを接続する第2柱状電極(17)とを備える。ここで、第2導電層(6U)は、第1半導体デバイス(Q4)に電源を供給する正極パターン若しくは負極パターンのいずれか一方に接続され、第3導電層(14U)は、他方に接続される。小型化可能で、信頼性の高いパワーモジュールおよびその製造方法を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)