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1. (WO2017175528) THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
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Pub. No.:    WO/2017/175528    International Application No.:    PCT/JP2017/008686
Publication Date: 12.10.2017 International Filing Date: 06.03.2017
IPC:
H01L 35/14 (2006.01), B22F 1/00 (2006.01), B22F 3/14 (2006.01), C01B 33/06 (2006.01), C22C 30/00 (2006.01), H01L 35/26 (2006.01), H01L 35/34 (2006.01)
Applicants: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
Inventors: NISHIDE, Akinori; (JP).
HAYAKAWA, Jyun; (JP).
KUROSAKI, Yosuke; (JP)
Agent: TOU-OU PATENT FIRM; Urban Toranomon Bldg., 16-4, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2016-075752 05.04.2016 JP
Title (EN) THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) MATÉRIAU DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 熱電変換材料及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A thermoelectric conversion material according to the present invention comprises crystal grains of a first crystal phase silicide and crystal grains of a second crystal phase silicide. The average crystal grain size of each of the first crystal phase silicide and the second crystal phase silicide is greater than 0 and up to 100 nm. The first crystal phase silicide is composed of an element selected from element Mn, element Fe, and element Cr and element Si or is composed of an element selected from element Mn, element Fe, and element Cr, element Si, and at least one element selected from element Al, element Ga, and element In. The second crystal phase silicide is composed of an element selected from element Mn, element Fe, and element Cr, element Si, and at least one metal element selected from element Al, element Ga, and element In. The crystal grains of the first crystal phase silicide and the crystal grains of the second crystal phase silicide are oriented.
(FR)La présente invention porte sur un matériau de conversion thermoélectrique qui comprend des grains cristallins d'un siliciure de première phase cristalline et des grains cristallins d'un siliciure de seconde phase cristalline. La taille moyenne des grains cristallins de chacun du siliciure de première phase cristalline et du siliciure de seconde phase cristalline est supérieure à 0 et va jusqu'à 100 nm. Le siliciure de première phase cristalline est composé d'un élément choisi parmi l'élément Mn, l'élément Fe et l'élément Cr et de l'élément Si, ou est composé d'un élément choisi parmi l'élément Mn, l'élément Fe et l'élément Cr, de l'élément Si, et d'au moins un élément choisi parmi l'élément Al, l'élément Ga et l'élément In. Le siliciure de seconde phase cristalline est composé d'un élément choisi parmi l'élément Mn, l'élément Fe et l'élément Cr, de l'élément Si, et d'au moins un élément métallique choisi parmi l'élément Al, l'élément Ga et l'élément In. Les grains cristallins du siliciure de première phase cristalline et les grains cristallins du siliciure de seconde phase cristalline sont orientés.
(JA)熱電変換材料は、第1結晶相シリサイドの結晶粒と、第2結晶相シリサイドの結晶粒と、を含む。第1結晶相シリサイドと第2結晶相シリサイドそれぞれの平均結晶粒径は、0より大きく100nm以下である。第1結晶相シリサイドは、Mn元素、Fe元素、Cr元素から選択された元素とSi元素とで構成される、又は、Mn元素、Fe元素、Cr元素から選択された元素とSi元素とAl元素、Ga元素、In元素から選択された1以上の元素とで構成されている。第2結晶相シリサイドは、Mn元素、Fe元素、Cr元素から選択された元素と、Si元素と、Al元素、Ga元素、In元素から選択された1以上の金属元素とで構成されている。第1結晶相シリサイドの結晶粒と前記第2結晶相のシリサイド結晶粒は配向されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)