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1. (WO2017175465) PROTECTIVE FILM FORMING METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
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Pub. No.:    WO/2017/175465    International Application No.:    PCT/JP2017/003924
Publication Date: 12.10.2017 International Filing Date: 03.02.2017
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
Applicants: GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD. [JP/JP]; 6-861-5, Higashiko, Seiro-machi, Kitakanbara-gun Niigata 9570197 (JP)
Inventors: SAKAI Shin; (JP).
KARIYAZAKI Hiroaki; (JP).
AOKI Tatsuhiko; (JP).
ARAKI Koji; (JP)
Agent: KINOSHITA Shigeru; (JP)
Priority Data:
2016-074967 04.04.2016 JP
Title (EN) PROTECTIVE FILM FORMING METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM DE PROTECTION POUR SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体基板の保護膜形成方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a protective film forming method for a semiconductor substrate, which method suppresses deterioration in the number of LPDs by suppressing adhesion of impurities such as particles from new formation of a protective film of an aqueous surfactant solution when the semiconductor substrate is peeled from a polishing head. The protective film forming method for a semiconductor substrate according to the present invention comprises: a first protective film forming process Y1 for forming a protective film by hydrophilizing the surface of the polished semiconductor substrate by an aqueous surfactant solution; and a second protective film forming process Y2 for forming protective films on the obverse surface and the reverse surface of the semiconductor substrate by peeling the semiconductor substrate from the polishing head and immersing the polished semiconductor substrate in a protective film forming treatment liquid in a state in which at least the surface of the polished semiconductor substrate is in contact with the liquid surface of the protective film forming treatment liquid comprising an aqueous surfactant solution after the first protective film forming process Y1.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de film de protection pour substrat semi-conducteur, ledit procédé supprimant la détérioration du nombre de LPD par suppression de l'adhérence d'impuretés telles que des particules grâce à une nouvelle formation d'un film de protection à partir d'une solution aqueuse de tensioactif lorsque le substrat semi-conducteur est décollé d'une tête de polissage. Le procédé de formation de film de protection pour substrat semi-conducteur selon la présente invention comprend : un premier processus de formation de film de protection Y1 consistant à former un film de protection par hydrophilisation de la surface du substrat semi-conducteur poli par une solution aqueuse de tensioactif ; et un second processus de formation de film de protection Y2 consistant à former des films de protection sur la surface recto et la surface verso du substrat semi-conducteur par décollement du substrat semi-conducteur de la tête de polissage et immersion du substrat semi-conducteur poli dans un liquide de traitement de formation de film de protection dans un état dans lequel au moins la surface du substrat semi-conducteur poli est en contact avec la surface liquide du liquide de traitement de formation de film de protection comprenant une solution aqueuse de tensioactif après le premier processus de formation de film de protection Y1.
(JA)研磨ヘッドから半導体基板を剥離する際に、新たに界面活性剤溶液の保護膜を形成することにより、パーティクル等の不純物の付着を抑制し、LPD数の悪化を抑制した半導体基板の保護膜形成方法を提供する。本発明の半導体基板の保護膜形成方法は、研磨された半導体基板の表面を、界面活性剤溶液による親水化処理を行うことにより保護膜を形成する第1の保護膜形成工程Y1と、前記第1の保護膜形成工程Y1の後、界面活性剤溶液からなる保護膜形成処理液の液面に、前記研磨された半導体基板の少なくとも表面が接した状態で、研磨ヘッドから半導体基板が剥離され、研磨された半導体基板が前記保護膜形成処理液に浸漬されることにより、半導体基板の表面及び裏面に保護膜が形成される第2の保護膜形成工程Y2とを含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)