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Pub. No.:    WO/2017/175426    International Application No.:    PCT/JP2016/088173
Publication Date: 12.10.2017 International Filing Date: 21.12.2016
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventors: INOUE Atsufumi; (JP).
OKA Seiji; (JP).
KAWAKAMI Tsuyoshi; (JP).
FURUKAWA Akihiko; (JP).
TOKIOKA Hidetada; (JP).
TSUDA Mutsumi; (JP).
FUJIOKA Yasushi; (JP)
Agent: YOSHITAKE Hidetoshi; (JP).
ARITA Takahiro; (JP)
Priority Data:
2016-076360 06.04.2016 JP
(JA) 電力用半導体装置
Abstract: front page image
(EN)The objective of the present invention is to provide a power semiconductor device capable of improving heat release and adhesion. The power semiconductor device (1) according to the present invention comprises an emitter electrode (3) that is formed on a semiconductor substrate (2), a conductive layer (5), which is formed on the emitter electrode (3) and which is not a sintered body, and a sintered metal layer (7), which is formed on the conductive layer (5) and which is a sintered body, the sintered metal layer (7) being large enough in plan view to cover the entire emitter electrode (3), and having greater thermal conductivity than the conductive layer (5).
(FR)L'objet de la présente invention est de fournir un dispositif à semi-conducteur d’alimentation capable d'améliorer la libération de chaleur et l'adhérence. Le dispositif à semi-conducteur d’alimentation (1) selon la présente invention comprend une électrode d'émetteur (3) qui est formée sur un substrat semi-conducteur (2), une couche conductrice (5), qui est formée sur l'électrode d'émetteur (3) et qui n'est pas un corps fritté, et une couche de métal fritté (7), qui est formée sur la couche conductrice (5) et qui est un corps fritté, la couche de métal fritté (7) étant suffisamment grande dans une vue en plan pour recouvrir la totalité de l'électrode d'émetteur (3), et ayant une conductivité thermique supérieure à celle de la couche conductrice (5).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)