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1. (WO2017175426) SEMICONDUCTOR DEVICE FOR POWER
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Pub. No.:    WO/2017/175426    International Application No.:    PCT/JP2016/088173
Publication Date: 12.10.2017 International Filing Date: 21.12.2016
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventors: INOUE Atsufumi; (JP).
OKA Seiji; (JP).
KAWAKAMI Tsuyoshi; (JP).
FURUKAWA Akihiko; (JP).
TOKIOKA Hidetada; (JP).
TSUDA Mutsumi; (JP).
FUJIOKA Yasushi; (JP)
Agent: YOSHITAKE Hidetoshi; (JP).
ARITA Takahiro; (JP)
Priority Data:
2016-076360 06.04.2016 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE FOR POWER
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR D'ALIMENTATION
(JA) 電力用半導体装置
Abstract: front page image
(EN)The objective of the present invention is to provide a power semiconductor device capable of improving heat release and adhesion. The power semiconductor device (1) according to the present invention comprises an emitter electrode (3) that is formed on a semiconductor substrate (2), a conductive layer (5), which is formed on the emitter electrode (3) and which is not a sintered body, and a sintered metal layer (7), which is formed on the conductive layer (5) and which is a sintered body, the sintered metal layer (7) being large enough in plan view to cover the entire emitter electrode (3), and having greater thermal conductivity than the conductive layer (5).
(FR)L'objet de la présente invention est de fournir un dispositif à semi-conducteur d’alimentation capable d'améliorer la libération de chaleur et l'adhérence. Le dispositif à semi-conducteur d’alimentation (1) selon la présente invention comprend une électrode d'émetteur (3) qui est formée sur un substrat semi-conducteur (2), une couche conductrice (5), qui est formée sur l'électrode d'émetteur (3) et qui n'est pas un corps fritté, et une couche de métal fritté (7), qui est formée sur la couche conductrice (5) et qui est un corps fritté, la couche de métal fritté (7) étant suffisamment grande dans une vue en plan pour recouvrir la totalité de l'électrode d'émetteur (3), et ayant une conductivité thermique supérieure à celle de la couche conductrice (5).
(JA)本発明は、放熱性および密着性を向上させることが可能な電力用半導体装置を提供することを目的とする。本発明による電力用半導体装置(1)は、半導体基板(2)上に形成され主電流が流れるエミッタ電極(3)と、エミッタ電極(3)上に形成された焼結体でない導電層(5)と、導電層(5)上に形成された焼結体である焼結金属層(7)とを備え、焼結金属層(7)は、平面視においてエミッタ電極(3)の全体を覆う大きさを有し、かつ導電層(5)よりも熱伝導性が高い。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)