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1. (WO2017174798) SENSOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING A SENSOR DEVICE
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Pub. No.: WO/2017/174798 International Application No.: PCT/EP2017/058435
Publication Date: 12.10.2017 International Filing Date: 07.04.2017
Chapter 2 Demand Filed: 07.02.2018
IPC:
H01L 31/103 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: AMS AG[AT/AT]; Schloss Premstätten Tobelbader Str. 30 8141 Premstätten, AT
Inventors: ROGER, Frederic; AT
EILMSTEINER, Gerhard; AT
DIERSCHKE, Eugene G.; US
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Priority Data:
16168987.210.05.2016EP
62/319,41607.04.2016US
Title (EN) SENSOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING A SENSOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF CAPTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF CAPTEUR
Abstract: front page image
(EN) A sensor device comprises a semiconductor substrate (S) with a first type of electrical conductivity and with a photodiode structure for detecting incident UV radiation. The photodiode structure comprises a first well (W1) arranged within the semiconductor substrate (S) and having a second type of electrical conductivity and a second well (W2) arranged at least partially within the first well (W1) and having the first type of electrical conductivity. A doping concentration of the first well (W1) is greater than a doping concentration of the second well (W2) within a surface region at a main surface (MS) of the semiconductor substrate (S). Thereby, a photon capturing layer (PC) having the second type of electrical conductivity is formed at the main surface (MS). A p-n junction (PND) for detecting the incident UV radiation is formed by a boundary between the second well (W2) and the photon capturing layer (PC).
(FR) L’invention concerne un dispositif capteur qui comprend un substrat semi-conducteur (S) présentant un premier type de conductivité électrique et comportant une structure de photodiode pour la détection de rayonnement UV incident. La structure de photodiode comprend un premier puits (W1) agencé dans un substrat semi-conducteur (S) et présentant un deuxième type de conductivité électrique et un deuxième puits (W2) agencé au moins partiellement dans le premier puits (W1) et présentant le premier type de conductivité électrique. Une concentration de dopage du premier puits (W1) est supérieure à une concentration de dopage du deuxième puits (W2) dans une zone de surface à une surface principale (MS) du substrat semi-conducteur (S). Ainsi, une couche de capture de photons (PC) présentant le deuxième type de conductivité électrique est formée à la surface principale (MS). Une jonction p-n (PND) pour détecter le rayonnement UV incident est formée par une limite entre le second puits (W2) et la couche de capture de photons (PC).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)