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1. (WO2017174730) METHOD FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
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Pub. No.: WO/2017/174730 International Application No.: PCT/EP2017/058266
Publication Date: 12.10.2017 International Filing Date: 06.04.2017
IPC:
H01L 33/02 (2010.01) ,H01L 27/15 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27
Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
15
including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier, specially adapted for light emission
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31
Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH[DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventors: MOOSBURGER, Jürgen; DE
SABATHIL, Matthias; DE
SINGER, Frank; DE
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Priority Data:
10 2016 106 493.908.04.2016DE
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS OPTOÉLECTRONIQUES ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
Abstract:
(EN) The invention relates to a method for producing optoelectronic semiconductor components (1), comprising the following steps: a) providing a compound (3) having a semiconductor layer sequence (2) with an active region (20) provided for generating or receiving radiation; b) determining a position of at least one defective region (4) of the semiconductor layer sequence; c) forming a plurality of electrically contactable functional regions (5), each having a portion of the semiconductor layer sequence and not having a defective region; and d) separating the compound into a plurality of optoelectronic semiconductor elements, each having at least one of the functional regions. The invention also relates to an optoelectronic semiconductor component.
(FR) L’invention concerne un procédé de fabrication de composants optoélectroniques (1), comprenant les étapes consistant à : a) prendre un composite (3) pourvu d’une séquence de couches semi-conductrices (2) qui présentent une zone active (20) destinée à la génération ou la réception d’un rayonnement ; b) déterminer une position d’au moins une zone défectueuse (4) de la séquence de couches semi-conductrices ; c) former une pluralité de zones fonctionnelles (5) qui sont aptes à une mise en contact électrique, qui présentent respectivement une partie de la séquence de couches semi-conductrices et qui sont exemptes de toute zone défectueuse ; et d) séparer le composite en une pluralité de composants semi-conducteurs optoélectroniques présentant respectivement au moins une zone fonctionnelle. L’invention concerne également un composant optoélectronique à semi-conducteur.
(DE) Es wird ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) angegeben, mit den Schritten: a) Bereitstellen eines Verbunds (3) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist; b) Ermitteln einer Position von zumindest einem Defektbereich (4) der Halbleiterschichtenfolge; c) Ausbilden einer Mehrzahl von elektrisch kontaktierbaren Funktionsbereichen (5), die jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge aufweisen und frei von einem Defektbereich sind; und d) Vereinzeln des Verbunds in eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen, die jeweils zumindest einen der Funktionsbereiche aufweisen. Weiterhin wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben.
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Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)