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1. (WO2017174535) FORMATION OF A LAYER ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
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Pub. No.:    WO/2017/174535    International Application No.:    PCT/EP2017/057906
Publication Date: 12.10.2017 International Filing Date: 04.04.2017
IPC:
H01L 21/20 (2006.01)
Applicants: AIXTRON SE [DE/DE]; Dornkaulstraße 2 52134 Herzogenrath (DE)
Inventors: KELMAN, Maxim; (US).
JIA, Zhongyuan; (US).
NAG, Somnath; (US).
DITIZIO, Robert; (US)
Agent: GRUNDMANN, Dirk; (DE).
MÜLLER, Enno; (DE).
RIEDER, Hans-Joachim; (DE).
BRÖTZ, Helmut; (DE).
BOURREE, Hendrik; (DE)
Priority Data:
15/093,003 07.04.2016 US
Title (EN) FORMATION OF A LAYER ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) FORMATION D’UNE COUCHE SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)Described herein are techniques for forming an epitaxial III-V layer on a substrate. In a pre-clean chamber, a native oxygen layer may be replaced with a passivation layer bytreating the substrate with a hydrogen plasma (or products of a plasma decomposition). In a deposition chamber, the temperature of the substrate may beelevated to a temperature less than 700°C. While the substrate temperature is elevated, a group V precursor may beflowed into the deposition chamber in order to transform the hydrogen terminated (Si-H) surface of the passivation layer into an Arsenic terminated (Si-As) surface. After the substrate has been cooled, a group III precursor and the group V precursor may beflowed in order to form a nucleation layer. Finally, at an elevated temperature, the group III precursor and group V precursor may beflowed in order to form a bulk III-V layer.
(FR)La présente invention décrit des techniques de formation d’une couche épitaxique III-V sur un substrat. Dans une chambre de prénettoyage, une couche d’oxygène native peut être remplacée par une couche de passivation en traitant le substrat avec du plasma d’hydrogène (ou des produits d’une décomposition de plasma). Dans une chambre de dépôt, la température du substrat peut être élevée à une température inférieure à 700 °C. Lorsque la température du substrat est élevée, un précurseur du groupe V peut être injecté dans la chambre de dépôt afin de transformer la surface à terminaison d’hydrogène (Si-H) de la couche de passivation en une surface à terminaison d’arsenic (Si-As). Après le refroidissement du substrat, un précurseur du groupe III et le précurseur du groupe V peuvent être injectés afin de former une couche de nucléation. Enfin, à une température élevée, le précurseur du groupe III et le précurseur du groupe V peuvent être injectés afin de former une couche de base III-V.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)