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Pub. No.:    WO/2017/173119    International Application No.:    PCT/US2017/025091
Publication Date: 05.10.2017 International Filing Date: 30.03.2017
H03F 1/22 (2006.01), H03F 1/02 (2006.01)
Applicants: SKYWORKS SOLUTIONS, INC. [US/US]; 20 Sylvan Road Woburn, MA 01801 (US)
Inventors: SOLIMAN, Yasser, Khairat; (CA)
Agent: CHRISTENSEN, Michael, R.; (US)
Priority Data:
62/316,864 01.04.2016 US
Abstract: front page image
(EN)Aspects of this disclosure relate to an amplification circuit that includes a stacked amplifier and a bias circuit. The stacked amplifier includes at least a first transistor and a second transistor in series with each other. The stacked amplifier is operable in at least a first mode and a second mode. The bias circuit is configured to bias the second transistor to a linear region of operation in the first mode and to bias the second transistor as a switch in the second mode. In certain embodiments, the amplification circuit can be a power amplifier stage configured to receive a supply voltage that has a different voltage level in the first mode than in the second mode.
(FR)Selon certains aspects de cette invention, un circuit d'amplification comprend un amplificateur empilé et un circuit de polarisation. L'amplificateur empilé comprend au moins un premier transistor et un second transistor en série entre eux. L'amplificateur empilé peut fonctionner dans au moins un premier mode et un second mode. Le circuit de polarisation est configuré de façon à polariser le second transistor vers une région linéaire de fonctionnement dans le premier mode et à polariser le second transistor en tant que commutateur dans le second mode. Dans certains modes de réalisation, le circuit d'amplification peut être un étage d'amplification de puissance configuré de façon à recevoir une tension d'alimentation qui présente un niveau de tension différent dans le premier mode que dans le second mode.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)