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1. (WO2017172962) CDTE-BASED DOUBLE HETEROSTRUCTURES AND RELATED LIGHT-CONVERSION DEVICES
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Pub. No.:    WO/2017/172962    International Application No.:    PCT/US2017/024814
Publication Date: 05.10.2017 International Filing Date: 29.03.2017
IPC:
H01L 31/0725 (2012.01), H01L 31/032 (2006.01), H01L 31/042 (2006.01)
Applicants: ARIZONA BOARD OF REGENTS ON BEHALF OF ARIZONA STATE UNIVERSITY [US/US]; 1475 North Scottsdale Road, Suite 200 Scottsdale, AZ 85257 (US)
Inventors: ZHANG, Yong-Hang; (US).
BOCCARD, Mathieu; (US).
HOLMAN, Zachary; (US).
YUAN, Zhao; (US)
Agent: SIDORIN, Yakov; (US)
Priority Data:
62/315,963 31.03.2016 US
Title (EN) CDTE-BASED DOUBLE HETEROSTRUCTURES AND RELATED LIGHT-CONVERSION DEVICES
(FR) HÉTÉROSTRUCTURES DOUBLES À BASE DE CDTE ET DISPOSITIFS DE CONVERSION DE LUMIÈRE ASSOCIÉS
Abstract: front page image
(EN)Devices converting light to electricity (such as solar cells or photodetectors) including a heavily- doped p-type a-SiCy:H and an i-MgxCd1-xTe/n-CdTe/N-Mg0.24Cd0.76Te double heterostructure (DH), with power conversion efficiency of as high as 17%, Voc as high as 1.096 V, and all operational characteristics being substantially better than those of monocrystailine solar cells known to-date. The a-SiCy:H layer is configured to enable high built-in potential while, at the same time, allowing the doped absorber to maintain a very long carry lifetime. In comparison, similar undoped CdTe/MgxCd1-xTe DH designs reveal a long carrier lifetime of 3.6 μs and an interface recommendation velocity of 1.2 cm/s, which are lower than the record values reported for GaAs/Al0.5Ga0.5As (18 cm/s) and GaAs/Ga0.5ln0.5P (1.5 cm/s) DHs.
(FR)L'invention concerne des dispositifs convertissant la lumière en électricité (tels que des cellules solaires ou des photodétecteurs) comprenant une couche de a-SiCy:H du type p fortement dopé et une hétérostructure double (DH) i-MgxCd1-xTe/n-CdTe/n-Mg0,24Cd0,76Te, présentant un rendement de conversion de puissance pouvant atteindre 17 %, une tension en circuit ouvert Voc pouvant atteindre 1,096 V, et dont toutes les caractéristiques de fonctionnement sont sensiblement meilleures que celles de cellules solaires monocrystallines connues à ce jour. La couche de a-SiCy:H est conçue pour permettre un potentiel cumulé élevé tout en permettant en même temps à l'absorbeur dopé de maintenir une très longue durée de vie de port. Par comparaison, des conceptions d'hétérostructures doubles CdTe/MgxCd1-xTe non dopées similaires révèlent une longue durée de vie de port de 3,6 µs et une vitesse de recombinaison d'interface de 1,2 cm/s, qui sont inférieures aux valeurs d'enregistrement rapportées pour des hétérostructures doubles GaAs/Al0,5Ga0,5As (18 cm/s) et GaAs/Ga0,5ln0,5P (1,5 cm/s).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)