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1. (WO2017172897) CONTACT EXPOSE ETCH STOP
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Pub. No.: WO/2017/172897 International Application No.: PCT/US2017/024722
Publication Date: 05.10.2017 International Filing Date: 29.03.2017
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 23/482 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED[US/US]; 2355 West Chandler Blvd. Chandler, Arizona 85224-6199, US
Inventors: GRIMM, Dan; US
DIX, Gregory; US
SCHROEDER, Rodney; US
Agent: SLAYDEN, Bruce W., II; US
Priority Data:
15/471,63428.03.2017US
62/314,86229.03.2016US
Title (EN) CONTACT EXPOSE ETCH STOP
(FR) ARRÊT DE GRAVURE À MISE À NU DE CONTACT
Abstract: front page image
(EN) The present disclosure relates to semiconductor devices and the teachings thereof may be embodied in metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFET). Some embodiments may include a power MOSFET with transistor cells, each cell comprising a source and a drain region; a first dielectric layer disposed atop the transistor cells; a silicon rich oxide layer on the first dielectric layer; grooves through the multi-layered dielectric, each groove above a respective source or drain region and filled with a conductive material; a second dielectric layer atop the multi-layered dielectric; openings in the second dielectric layer, each opening exposing a contact area of one of the plurality of grooves; and a metal layer disposed atop the second dielectric layer and filling the openings. The metal layer may form at least one drain metal wire and at least one source metal wire. The at least one drain metal wire may connect two drain regions through respective grooves. The at least one source metal wire may connect two source regions through respective grooves. Each groove has a length extending from the at least one drain metal wire to the at least one source metal wire in an adjacent pair.
(FR) La présente invention concerne des dispositifs à semi-conducteurs, et ses enseignements peuvent être mis en pratique dans des transistors à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET). Certains modes de réalisation peuvent comprendre un MOSFET de puissance comportant des cellules de transistor, chaque cellule comprenant une zone de source et une zone de drain; une première couche diélectrique disposée au-dessus des cellules de transistor; une couche d'oxyde riche en silicium sur la première couche diélectrique; des rainures à travers le diélectrique multicouche, chaque rainure se trouvant au-dessus d'une zone de source ou de drain respective et étant remplie d'un matériau conducteur; une seconde couche diélectrique au-dessus du diélectrique multicouche; des ouvertures dans la seconde couche diélectrique, chaque ouverture mettant à nu une zone de contact d'une rainure de la pluralité de rainures; et une couche métallique disposée au-dessus de la seconde couche diélectrique et remplissant les ouvertures. La couche métallique peut former au moins un fil métallique de drain et au moins un fil métallique de source. Le ou les fils métalliques de drain peuvent connecter deux zones de drain par l'intermédiaire de rainures respectives. Le ou les fils métalliques de source peuvent connecter deux zones de source par l'intermédiaire de rainures respectives. Chaque rainure présente une longueur s'étendant du ou des fils métalliques de drain au ou aux fils métalliques de source dans une paire adjacente.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)