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1. (WO2017172748) SYSTEMS AND METHODS FOR DUST SUPPRESSED SILICON CHARGING IN A VACUUM
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Pub. No.: WO/2017/172748 International Application No.: PCT/US2017/024512
Publication Date: 05.10.2017 International Filing Date: 28.03.2017
IPC:
C01B 33/021 (2006.01) ,B65G 53/04 (2006.01)
Applicants: SITEC GMBH[DE/DE]; Buergermeister-Wegele-Strasse 12 86167 Augsburg, DE
Inventors: DASSEL, Mark, W.; US
KERAT, Uwe; DE
Agent: ABRAMONTE, Frank; US
KUMABE, Blake, K.; US
SOLTANI, Bobby, B.; US
SARGEANT, Brooke; US
QUIST, Brooke, W.; US
ROTH, Carol, J.; US
EIDT, Chandra, E.; US
O'BRIEN, Daniel; US
CARLSON, David, V.; US
STARK, Duncan; US
TARLETON, E., Russell; US
SUN, Eileen, S.; US
HARWOOD, Eric, A.; US
OBEIDAT, Baha, A.; US
HAN, Hai; US
TALBERT, Hayley, J.; US
CARTER, James, J.; US
WHITE, James, A. D.; US
BARRETT, Jared, M.; US
PEPE, Jeffrey, C.; US
DANLEY, Jeffrey, E.; US
SAKOI, Jeffrey, M.; US
BAUNACH, Jeremiah, J.; US
KARLEN, John, R.; US
MORGAN, John, A.; US
WAKELEY, John, J.; US
COE, Justin, E.; US
HENCKEL, Karen, M.; US
HEFTER, Karl, A.; US
HERMANNS, Karl, R.; US
MORGAN, Kevan, L.; US
COSTANZA, Kevin, S.; US
LINFORD, Lorraine; US
COOPER, Michael, P.; US
RUSYN, Paul; US
LIN, Qing; US
HALLER, Rachel, A.; US
IANNUCCI, Robert; US
KOVELMAN, Robert, L.; US
WEBB, Samuel, E.; US
LEEK, Shoko, I.; US
ROSENMAN, Stephen, J.; US
ABEDI, Syed; US
SATAGAJ, Thomas, J.; US
BOLLER, Timothy, L.; US
LIGON, Toby, J.; US
FERRON, William, O., Jr.; US
Priority Data:
62/315,33430.03.2016US
Title (EN) SYSTEMS AND METHODS FOR DUST SUPPRESSED SILICON CHARGING IN A VACUUM
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE CHARGEMENT DE SILICIUM DÉPOUSSIÉRÉ DANS UN VIDE
Abstract: front page image
(EN) A crystal production system and method that maintains a high vacuum during both a melting phase and a charging phase enables improved dust suppression. In such a system and method, a particulate feed vessel and a crucible inside a melting chamber are fluidly connected. Silicon granules are conveyed from the particulate feed vessel to the crucible inside the melting chamber. The silicon granules are then melted in the crucible within the melting chamber. The dust particles are suppressed by charging the melted silicon under the high vacuum. Charging can occur while performing a gaseous purge, with limiting a gaseous purge, or while forgoing any gaseous purge in the melting chamber. Doping can occur, for example in the charging chamber or crucible by addition of dopant in either particulate or gaseous forms.
(FR) L'invention concerne un système et un procédé de production de cristaux qui maintiennent un vide poussé et pendant une phase de fusion et pendant une phase de chargement et permettent une suppression améliorée de la poussière. Dans de tels système et procédé, une cuve d'alimentation en particules et un creuset situé à l'intérieur d'une chambre de fusion sont reliés fluidiquement. Des granules de silicium sont transportés de la cuve d'alimentation en particules au creuset situé à l'intérieur de la chambre de fusion. Les granules de silicium sont ensuite fondus dans le creuset situé à l'intérieur de la chambre de fusion. Les particules de poussière sont supprimées par chargement du silicium fondu sous vide poussé. Le chargement peut se produire pendant l'exécution d'une purge gazeuse, avec limitation d'une purge gazeuse, ou pendant que toute purge gazeuse est empêchée dans la chambre de fusion. Le dopage peut se produire, par exemple dans la chambre de chargement ou dans le creuset par ajout d'un dopant sous formes particulaires ou gazeuses.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)