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1. (WO2017172575) TUNABLE ACTIVE SILICON FOR COUPLER LINEARITY IMPROVEMENT AND RECONFIGURATION
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Pub. No.:    WO/2017/172575    International Application No.:    PCT/US2017/024240
Publication Date: 05.10.2017 International Filing Date: 27.03.2017
IPC:
H01L 43/02 (2006.01), H01L 43/10 (2006.01), H01L 43/12 (2006.01)
Applicants: SKYWORKS SOLUTIONS, INC. [US/US]; 20 Sylvan Road Woburn, MA 01801 (US)
Inventors: SRIRATTANA, Nuttapong; (US).
WHITEFIELD, David, Scott; (US)
Agent: GERSTENZANG, Gregory, K.; (US)
Priority Data:
62/315,092 30.03.2016 US
62/432,020 09.12.2016 US
Title (EN) TUNABLE ACTIVE SILICON FOR COUPLER LINEARITY IMPROVEMENT AND RECONFIGURATION
(FR) SILICIUM ACTIF ACCORDABLE POUR AMÉLIORATION DE LINÉARITÉ DE COUPLEUR ET RECONFIGURATION
Abstract: front page image
(EN)An electromagnetic coupler assembly includes a handle wafer having an oxide layer disposed on a first surface thereof. A layer of active semiconductor is disposed on the oxide layer and includes a voltage terminal to receive a supply voltage. A layer of dielectric material is disposed on the layer of active semiconductor. A main transmission line is disposed on the layer of dielectric material. A coupled transmission line is disposed on the layer of active semiconductor and is one of inductively coupled to the main transmission line and capacitively coupled to the main transmission line. At least a portion of one of the main transmission line and the coupled transmission line is disposed directly above at least a portion of the layer of active semiconductor.
(FR)L'invention porte sur un ensemble coupleur électromagnétique qui comprend une tranche de manipulation sur une première surface de laquelle est disposée une couche d'oxyde. Une couche de semi-conducteur actif est disposée sur la couche d'oxyde et comprend une borne de tension pour recevoir une tension d'alimentation. Une couche de matériau diélectrique est disposée sur la couche de semi-conducteur actif. Une ligne de transmission principale est disposée sur la couche de matériau diélectrique. Une ligne de transmission couplée est disposée sur la couche de semi-conducteur actif et est couplée de manière inductive à la ligne de transmission principale et couplée de manière capacitive à la ligne de transmission principale. Au moins une partie de l'une de la ligne de transmission principale et de la ligne de transmission couplée est disposée directement au-dessus d'au moins une partie de la couche de semi-conducteur actif.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)