WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2017172328) PREFETCH MECHANISM FOR SERVICING DEMAND MISS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.:    WO/2017/172328    International Application No.:    PCT/US2017/021916
Publication Date: 05.10.2017 International Filing Date: 10.03.2017
Chapter 2 Demand Filed:    31.01.2018    
IPC:
G06F 12/0862 (2016.01), G06F 12/0897 (2016.01)
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventors: ALEXANDER, Khary Jason; (US).
ROBINSON, Eric Francis; (US)
Agent: CICCOZZI, John L.; (US).
OLDS, Mark E.; (US).
PODHAJNY, Daniel; (US)
Priority Data:
15/087,649 31.03.2016 US
Title (EN) PREFETCH MECHANISM FOR SERVICING DEMAND MISS
(FR) MÉCANISME DE PRÉANALYSE POUR LA RÉPARATION D'UN DÉFAUT DE DEMANDE
Abstract: front page image
(EN)Systems and methods relate to servicing a demand miss for a cache line in a first cache (e.g., an L1 cache) of a processing system, for example, when none of one or more fill buffers for servicing the demand miss are available. In exemplary aspects, the demand miss is converted to a prefetch operation to prefetch the cache line into a second cache (e.g., an L2 cache), wherein the second cache is a backing storage location for the first cache. Thus, servicing the demand miss is not delayed until a fill buffer becomes available, and once a fill buffer becomes available, the prefetched cache line is returned from the second cache to the available fill buffer.
(FR)Des systèmes et des procédés de l'invention concernent la réparation d'un défaut de demande pour une ligne de mémoire cache dans une première mémoire cache (par exemple, une mémoire cache L1) d'un système de traitement, par exemple, lorsque aucun tampon de remplissage parmi un ou plusieurs tampons de remplissage pour la réparation du défaut de demande n'est disponible. Dans des aspects donnés à titre d'exemple, le défaut de demande est converti en une opération de préanalyse pour préanalyser la ligne de mémoire cache dans une seconde mémoire cache (par exemple, une mémoire cache L2), la seconde mémoire cache étant un emplacement de mémorisation de sauvegarde pour la première mémoire cache. Ainsi, la réparation du défaut de demande n'est pas retardée jusqu'à ce qu'un tampon de remplissage devienne disponible et une fois qu'un tampon de remplissage devient disponible, la ligne de mémoire cache préanalysée est renvoyée depuis la seconde mémoire cache vers le tampon de remplissage disponible.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)