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1. (WO2017172209) APPARATUSES, METHODS, AND SYSTEMS FOR STOCHASTIC MEMORY CIRCUITS USING MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS
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Pub. No.: WO/2017/172209 International Application No.: PCT/US2017/020194
Publication Date: 05.10.2017 International Filing Date: 01.03.2017
IPC:
G11C 11/16 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,G11C 7/20 (2006.01) ,G11C 8/10 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95054, US
Inventors: AUGUSTINE, Charles; US
PAUL, Somnath; US
SHEIK, Sadique Ul Ameen; US
KHELLAH, Muhammad M.; US
Agent: STRAUSS, Ryan N.; US
AUYEUNG, Al; US
BLAIR, Steven R.; US
COFIELD, Michael A.; US
COWGER, Graciela G.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
FORD, Stephen S.; US
GARTHWAITE, Martin S.; US
HALEVA, Aaron S.; US
LEE, Katherine D.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MEININGER, Mark M.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
RASKIN, Vladimir; US
WANG, Yuke; US
Priority Data:
15/088,41901.04.2016US
Title (EN) APPARATUSES, METHODS, AND SYSTEMS FOR STOCHASTIC MEMORY CIRCUITS USING MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS
(FR) APPAREILS, PROCÉDÉS ET SYSTÈMES POUR CIRCUITS DE MÉMOIRE STOCHASTIQUES UTILISANT DES JONCTIONS TUNNELS MAGNÉTIQUES
Abstract: front page image
(EN) Embodiments include apparatuses, systems, and methods including a memory apparatus including a plurality of bit cells, wherein each of the plurality of bit cells correspond to a respective weight value and include a switch device that has a magnetic tunnel junction (MTJ) or other suitable resistive memory element to produce stochastic switching. In embodiments, the switch device may produce a switching output according to a stochastic switching probability of the switch device. In embodiments, a bit line or a source line passes a current across the MTJ for a switching time associated with the stochastic switching probability to produce the switching output which enables a determination of whether the respective weight value is to be updated. Other embodiments may also be described and claimed.
(FR) Des modes de réalisation concernent des appareils, des systèmes et des procédés comprenant un appareil mémoire comportant une pluralité de cellules binaires, chaque cellule de la pluralité de cellules binaires correspondant à une valeur de pondération respective et comprenant un dispositif de commutation qui possède une jonction tunnel magnétique (MTJ) ou un autre élément mémoire résistif approprié pour produire une commutation stochastique. Dans des modes de réalisation, le dispositif de commutation peut produire une sortie de commutation selon une probabilité de commutation stochastique du dispositif de commutation. Dans des modes de réalisation, une ligne binaire ou une ligne source fait passer un courant à travers la MTJ pendant un temps de commutation associé à la probabilité de commutation stochastique afin de produire la sortie de commutation permettant de déterminer si la valeur de pondération respective doit être mise à jour. D'autres modes de réalisation peuvent également être décrits et revendiqués.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)