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1. (WO2017171979) TECHNIQUES TO MITIGATE BIAS DRIFT FOR A MEMORY DEVICE
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Pub. No.:    WO/2017/171979    International Application No.:    PCT/US2017/013662
Publication Date: 05.10.2017 International Filing Date: 16.01.2017
IPC:
G11C 16/30 (2006.01), G11C 16/08 (2006.01), G11C 16/10 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: JEYASINGH, Rakesh; (US).
GAJERA, Nevil N.; (US).
TAUB, Mase J.; (US).
PANGAL, Kiran; (US)
Agent: CRAWFORD, Ted A.; (US)
Priority Data:
15/087,762 31.03.2016 US
Title (EN) TECHNIQUES TO MITIGATE BIAS DRIFT FOR A MEMORY DEVICE
(FR) TECHNIQUES D’ÉVITEMENT DE DÉRIVE DE POLARISATION POUR DISPOSITIF MÉMOIRE
Abstract: front page image
(EN)Examples may include techniques to mitigate bias drift for memory cells of a memory device. A first memory cell coupled with a first word-line and a bit-line is selected for a write operation. A second memory cell coupled with a second word-line and the bit-line is de-selected for the write operation. First and second bias voltages are applied to the first word-line and the bit-line during the write operation to program the first memory cell. A third bias voltage is applied to the second word-line during the write operation to reduce or mitigate voltage bias to the second memory cell due to the second bias voltage applied to the bit-line to program the first memory cell.
(FR)Selon des exemples, l’invention peut concerner des techniques pour éviter la dérive de polarisation pour les cellules de mémoire d’un dispositif de mémoire. Une première cellule de mémoire couplée à une première ligne de mots et à une ligne de bits est sélectionnée pour une opération d’écriture. Une deuxième cellule de mémoire couplée à une deuxième ligne de mots et à la ligne de bits est désélectionnée pour l’opération d’écriture. De première et deuxième tensions de polarisation sont appliquées à la première ligne de mots et à la ligne de bits pendant l’opération d’écriture pour programmer la première cellule de mémoire. Une troisième tension de polarisation est appliquée à la deuxième ligne de mots pendant l’opération d’écriture pour réduire ou éviter la polarisation de la deuxième cellule de mémoire en raison de l’application de la deuxième tension de polarisation à la ligne de bits pour programmer la première cellule de mémoire.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)