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1. (WO2017171947) MICRO-SIZE DEVICES FORMED BY ETCH OF SACRIFICIAL EPITAXIAL LAYERS
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Pub. No.: WO/2017/171947 International Application No.: PCT/US2016/067364
Publication Date: 05.10.2017 International Filing Date: 16.12.2016
IPC:
H01L 33/12 (2010.01) ,H01L 33/22 (2010.01) ,H01L 33/00 (2010.01)
Applicants: X DEVELOPMENT LLC[US/US]; 1600 Amphitheatre Parkway Mountain View, California 94043, US
Inventors: SCHUBERT, Martin F.; US
THOMPSON, Jason D.; US
GRUNDMANN, Michael; US
Agent: CLAASSEN, Cory G.; US
MALLIE, Michael J.; US
VINCENT, Lester J.; US
Priority Data:
15/083,91929.03.2016US
Title (EN) MICRO-SIZE DEVICES FORMED BY ETCH OF SACRIFICIAL EPITAXIAL LAYERS
(FR) DISPOSITIFS DE TAILLE MICROMÉTRIQUE FORMÉS PAR GRAVURE DE COUCHES ÉPITAXIALES SACRIFICIELLES
Abstract: front page image
(EN) Embodiments regard micro-size devices formed by etch of sacrificial epitaxial layers. An embodiment of a method includes forming a plurality of epitaxial layers on a sapphire crystal, wherein the epitaxial layers include a buffer layer on the sapphire crystal, a sacrificial layer above the buffer layer, and one or more device layers above the sacrificial layer; etching to singulate the semiconductor devices, the etching being through the one or more device layers and wholly or partially through the sacrificial layer; electrochemical etching of the sacrificial layer; and lift-off of one or more semiconductor devices from the buffer layer.
(FR) Selon des modes de réalisation, l'invention concerne des dispositifs de taille micrométrique formés par gravure de couches épitaxiales sacrificielles. Un mode de réalisation d'un procédé comprend la formation d'une pluralité de couches épitaxiales sur un cristal de saphir, les couches épitaxiales comprenant une couche tampon sur le cristal de saphir, une couche sacrificielle au-dessus de la couche tampon et une ou plusieurs couches de dispositif au-dessus de la couche sacrificielle ; la gravure pour séparer l'un de l'autre les dispositifs à semi-conducteur, la gravure s'effectuant à travers la ou les couches de dispositif et entièrement ou partiellement à travers la couche sacrificielle ; la gravure électrochimique de la couche sacrificielle ; le décollement d'un ou de plusieurs dispositifs à semi-conducteur de la couche tampon.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)