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1. (WO2017171859) SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE SHIELDING STRUCTURES
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Pub. No.: WO/2017/171859 International Application No.: PCT/US2016/025659
Publication Date: 05.10.2017 International Filing Date: 01.04.2016
IPC:
H01L 23/552 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventors: HEPPNER, Joshua; US
MODI, Mitul; US
Agent: PERDOK Monique M.; US
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE SHIELDING STRUCTURES
(FR) BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR À STRUCTURES DE BLINDAGE CONTRE LES INTERFÉRENCES ÉLECTROMAGNÉTIQUES
Abstract: front page image
(EN) Semiconductor packages with electromagnetic interference (EMI) shielding structures and a method of manufacture therefor is disclosed. In some aspects, a shielding structure can serve as an enclosure formed by conductive material or by a mesh of such material that can be used to block electric fields emanating from one or more electronic components enclosed by the shielding structure at a global package level or local and/or compartment package level for semiconductor packages. In one embodiment, wire and/or ribbon bonding can be used to fabricate the shielding structure. For example, one or more wire and/or ribbon bonds can go from a connecting ground pad on one side of the package to a connecting ground pad on the other side of the package. This can be repeated multiple times at a pre-determined pitch necessary to meet the electrical requirements for shielding, e.g. less than or equal to approximately one half the wavelength of radiation generated by the electronic components being shielded.
(FR) L'invention concerne des boîtiers de semi-conducteur à structures de blindage contre les interférences électromagnétiques (EMI) et un procédé de fabrication associé. Selon certains aspects, une structure de blindage peut servir d'enceinte formée par un matériau conducteur ou par un maillage d'un tel matériau qui peut être utilisé pour bloquer des champs électriques émanant d'un ou de plusieurs composants électroniques entourés par la structure de blindage à un niveau de boîtier global ou à un niveau de boîtier local et/ou de compartiment pour des boîtiers de semi-conducteur. Dans un mode de réalisation, un soudage de fils et/ou de rubans peut être utilisé pour fabriquer la structure de blindage. Par exemple, une ou plusieurs connexions par fil et/ou par ruban peuvent s'étendre d'un plot de masse de connexion sur un côté du boîtier à un plot de masse de connexion sur l'autre côté du boîtier. Ceci peut être répété plusieurs fois à un pas prédéterminé nécessaire pour répondre aux exigences électriques de blindage, par exemple inférieur ou égal à environ la moitié de la longueur d'onde du rayonnement généré par les composants électroniques en cours de blindage.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)