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1. (WO2017170694) METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE, AND SUBSTRATE
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Pub. No.:    WO/2017/170694    International Application No.:    PCT/JP2017/012896
Publication Date: 05.10.2017 International Filing Date: 29.03.2017
IPC:
H01L 21/60 (2006.01)
Applicants: EBARA CORPORATION [JP/JP]; 11-1, Haneda Asahi-cho, Ohta-ku, Tokyo 1448510 (JP)
Inventors: KURASHINA, Keiichi; (JP).
ISHITSUKA, Taiki; (JP).
OMATA, Shinji; (JP).
SHAMOTO, Mitsuhiro; (JP).
KUBOTA, Makoto; (JP)
Agent: ONO, Shinjiro; (JP).
MIYAMAE, Toru; (JP).
KANEGAE, Yukio; (JP).
WATANABE, Makoto; (JP)
Priority Data:
2016-071000 31.03.2016 JP
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE, AND SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT ET SUBSTRAT
(JA) 基板の製造方法及び基板
Abstract: front page image
(EN)To prevent a tin alloy from coming into contact with a copper wiring layer during reflow of a tin alloy bump layer. One embodiment of the present invention provides a method for producing a substrate which has a bump at an opening of a resist. This method for producing a substrate comprises: a step for forming a copper wiring layer on a substrate by plating at a first temperature; a step for forming a barrier layer on the copper wiring layer by plating at a second temperature that is equivalent to the first temperature; and a step for forming a tin alloy bump layer on the barrier layer by plating.
(FR)L'objet de l'invention est d'empêcher un alliage d'étain de venir en contact avec une couche de câblage en cuivre pendant la refusion d'une couche de bosse en alliage d'étain. Un mode de réalisation de la présente invention concerne un procédé de production d'un substrat qui présente une bosse au niveau d'une ouverture d'une réserve. Ce procédé de production d'un substrat comprend : une étape de formation d'une couche de câblage en cuivre sur un substrat par placage à une première température ; une étape de formation d'une couche barrière sur la couche de câblage en cuivre par placage à une seconde température qui est équivalente à la première température ; et une étape de formation d'une couche de bosse en alliage d'étain sur la couche de barrière par placage.
(JA)スズ合金バンプ層のリフロー時にスズ合金が銅配線層に接触することを抑制する。 本発明の一形態によれば、レジスト開口部にバンプを有する基板の製造方法が提供される。この基板の製造方法は、基板上に第1の温度で銅配線層をめっきする工程と、前記銅配線層上に第1の温度と同等の第2の温度でバリア層をめっきする工程と、前記バリア層上にスズ合金バンプ層をめっきする工程と、を有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)