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1. (WO2017170149) VARIABLE RESISTANCE ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING VARIABLE RESISTANCE ELEMENT
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Pub. No.: WO/2017/170149 International Application No.: PCT/JP2017/011792
Publication Date: 05.10.2017 International Filing Date: 23.03.2017
IPC:
H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 49/00 (2006.01)
Applicants: NEC CORPORATION[JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001, JP
Inventors: TADA Munehiro; JP
Agent: SHIMOSAKA Naoki; JP
Priority Data:
2016-06715930.03.2016JP
Title (EN) VARIABLE RESISTANCE ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING VARIABLE RESISTANCE ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT À RÉSISTANCE VARIABLE ET PROCÉDÉ POUR PRODUIRE UN ÉLÉMENT À RÉSISTANCE VARIABLE
(JA) 抵抗変化素子、および抵抗変化素子の製造方法
Abstract: front page image
(EN) To stabilize programming operation and to reduce leakage current. A variable resistance element according to the present invention is provided with: an interlayer insulating film; a first electrode that is formed within the interlayer insulating film and comprises an active electrode, the lateral surface and the bottom surface of which are covered by a barrier metal; a variable resistance film that is formed on the upper surface of the first electrode; a second electrode that is formed on the variable resistance film; and an insulating film spacer that is formed between the variable resistance film and the barrier metal which covers the lateral surface of the first electrode. In this connection, the variable resistance film and the barrier metal which covers the lateral surface of the first electrode are in contact with the insulating film spacer, respectively.
(FR) La présente invention a pour but de stabiliser l'opération de programmation et de réduire le courant de fuite. Un élément à résistance variable selon la présente invention comporte : un film isolant inter-couches ; une première électrode qui est formée à l'intérieur du film isolant inter-couches et qui comprend une électrode active, dont la surface latérale et la surface inférieure sont recouvertes d'un métal barrière ; un film à résistance variable qui est formé sur la surface supérieure de la première électrode ; une seconde électrode qui est formée sur le film à résistance variable ; et un élément d'espacement de film isolant qui est formé entre le film à résistance variable et le métal barrière qui recouvre la surface latérale de la première électrode. Dans cette connexion, le film à résistance variable et le métal barrière qui recouvre la surface latérale de la première électrode sont en contact avec l'élément d'espacement de film isolant, respectivement.
(JA) プログラミング動作を安定させ、リーク電流を低減する。抵抗変化素子は、層間絶縁膜と、層間絶縁膜の内部に形成され、側面、および底面がバリアメタルで覆われた活性電極を含む第1電極と、第1電極の上面に形成された抵抗変化膜と、抵抗変化膜上に形成された第2電極と、第1電極の側面を覆うバリアメタルと、抵抗変化膜との間に形成された絶縁膜スペーサ、とを備え、第1電極の側面を覆うバリアメタル、および抵抗変化膜は、それぞれ、前記絶縁膜スペーサと接している。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)