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1. (WO2017170125) METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATES WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, APPARATUS FOR MANUFACTURING SUBSTRATES WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, SUBSTRATE WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND SOLAR CELL
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Pub. No.:    WO/2017/170125    International Application No.:    PCT/JP2017/011724
Publication Date: 05.10.2017 International Filing Date: 23.03.2017
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), C23C 16/24 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01)
Applicants: ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP)
Inventors: MATSUZAKI Junsuke; (JP).
TAKAHASHI Hirohisa; (JP)
Agent: SHIGA Masatake; (JP).
SUZUKI Shingo; (JP)
Priority Data:
2016-066579 29.03.2016 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATES WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, APPARATUS FOR MANUFACTURING SUBSTRATES WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, SUBSTRATE WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRATS À FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT, APPAREIL DE FABRICATION DE SUBSTRATS À FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT, SUBSTRAT À FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT, ET CELLULE SOLAIRE
(JA) 透明導電膜付き基板の製造方法、透明導電膜付き基板の製造装置、透明導電膜付き基板、及び太陽電池
Abstract: front page image
(EN)This method for manufacturing substrates with a transparent conductive film forms a transparent conductive film on an a-Si film by: preparing a substrate that has a front surface and a back surface and has an a-Si film covering the front surface and/or the back surface; in a film-forming space with a hydrogen-containing process gas, setting the temperature range of the substrate and the a-Si film to 70-220 [°C]; and applying a sputtering voltage on a target to perform DC sputtering.
(FR)Cette invention concerne un procédé de fabrication de substrats avec un film conducteur transparent, qui forme un film conducteur transparent sur un film a-Si par : la préparation d'un substrat qui présente une surface avant et une surface arrière et qui possède un film a-Si recouvrant la surface avant et/ou la surface arrière ; dans un espace de formation de film avec un gaz de traitement contenant de l'hydrogène, le réglage de la plage de température du substrat et du film a-Si à 70-220 [°C] ; et l'application d'une tension de pulvérisation sur une cible pour effectuer une pulvérisation à courant continu.
(JA)本発明の透明導電膜付き基板の製造方法は、表面及び裏面を有し、かつ、前記表面及び前記裏面のうち少なくとも一方の面を被覆するa-Si膜を有する基体を準備し、水素を含むプロセスガスを有する成膜空間において、前記基体及び前記a-Si膜の温度範囲を70~220[℃]に設定して、ターゲットにスパッタ電圧を印加してDCスパッタを行い、前記a-Si膜上に透明導電膜を成膜する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)