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1. (WO2017169896) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
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Pub. No.:    WO/2017/169896    International Application No.:    PCT/JP2017/010890
Publication Date: 05.10.2017 International Filing Date: 17.03.2017
IPC:
H01L 21/66 (2006.01), G01R 31/26 (2014.01), H01L 21/301 (2006.01)
Applicants: MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC. [JP/JP]; 7, Kandamitoshiro-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1018485 (JP)
Inventors: HAYASHISHITA Eiji; (JP)
Agent: HAYAMI Shinji; (JP)
Priority Data:
2016-068856 30.03.2016 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)This semiconductor device manufacturing method involves at least the following four steps: (A) a step in which a structure (100) is prepared which is provided with an adhesive film (50) having a radiation-curable adhesive resin layer (30), and one or more semiconductor chips (70) adhered on the adhesive resin layer (30); (B) a step in which the adhesive film (50) is irradiated with radiation to cross-link the adhesive resin layer (30); (C) a step in which, after step (B), in a state adhered on the adhesive resin layer (30), operation of the semiconductor chips (70) is checked; and (D) a step in which, after step (C), the semiconductor chips (70) are picked up from the adhesive resin layer (30).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositif semiconducteur comprenant au moins les quatre étapes suivantes : (A) une étape dans laquelle est préparée une structure (100), laquelle est pourvue d'un film adhésif (50) ayant une couche de résine adhésive (30) durcissable par rayonnement et une ou plusieurs puces en semiconducteur (70) collées sur la couche de résine adhésive (30); (B) une étape dans laquelle le film adhésif (50) est irradié avec un rayonnement pour réticuler la couche de résine adhésive (30); (C) une étape dans laquelle, après l'étape (B), le fonctionnement des puces en semiconducteur (70) est contrôlé dans un état collé sur la couche de résine adhésive (30); et (D) une étape dans laquelle, après l'étape (C), les puces en semiconducteur (70) sont prélevées de la couche de résine adhésive (30).
(JA)本発明の半導体装置の製造方法は、以下の4つの工程を少なくとも備えている。(A)放射線硬化型の粘着性樹脂層(30)を有する粘着性フィルム(50)と、粘着性樹脂層(30)上に貼り付けられた1または2以上の半導体チップ(70)と、を備える構造体(100)を準備する工程、(B)粘着性フィルム(50)に対して放射線を照射し、粘着性樹脂層(30)を架橋する工程、(C)工程(B)の後に、粘着性樹脂層(30)上に貼り付けられた状態で、半導体チップ(70)の動作を確認する工程、(D)工程(C)の後に、粘着性樹脂層(30)から半導体チップ(70)をピックアップする工程
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)