WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2017169719) SOLID STATE IMAGING ELEMENT AND ELECTRONIC APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.:    WO/2017/169719    International Application No.:    PCT/JP2017/010103
Publication Date: 05.10.2017 International Filing Date: 14.03.2017
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/0232 (2014.01), H04N 5/369 (2011.01)
Applicants: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventors: MOGI Hideaki; (JP).
HIROSE Yohei; (JP).
HIRATA Shintarou; (JP).
KUMAGAI Yuya; (JP).
YAMAGUCHI Tetsuji; (JP).
MURATA Masaki; (JP).
UJIIE Yasuharu; (JP)
Agent: NISHIKAWA Takashi; (JP).
INAMOTO Yoshio; (JP)
Priority Data:
2016-064074 28.03.2016 JP
Title (EN) SOLID STATE IMAGING ELEMENT AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子、および電子機器
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to a solid state imaging element and an electronic apparatus such that a drop in light-collection efficiency and a deterioration of resistance to oblique light can be minimized, and a reduction in the profile of the solid state imaging element can be achieved. In a first aspect of the present invention, the solid state imaging element is a vertical spectral separation type solid state imaging element wherein a plurality of photoelectric conversion portions are layered in each pixel region. The solid state imaging element comprises: a first photoelectric conversion module having a first photoelectric conversion portion for performing photoelectric conversion of a light beam in a first wavelength region of incoming light beam, a first upper electrode and a first lower electrode formed so as to sandwich the first photoelectric conversion portion therebetween, and a first spectral correction portion formed by being layered on the first photoelectric conversion unit between the first upper electrode and the first lower electrode; and a second photoelectric conversion portion performing photoelectric conversion of a light beam in a second wavelength region different from the first wavelength region of the light beam that has passed through the first photoelectric conversion module. The present invention is applicable, for instance, to a CMOS image sensor.
(FR)La présente invention concerne un élément d'imagerie à semi-conducteurs et un appareil électronique de telle sorte qu'une chute de l'efficacité de collecte de lumière et une détérioration de la résistance à la lumière oblique peuvent être réduites au minimum, et une réduction du profil de l'élément d'imagerie à semi-conducteurs peut être obtenue. Selon un premier aspect de la présente invention, l'élément d'imagerie à semi-conducteurs est un élément d'imagerie à semi-conducteurs du type à séparation spectrale verticale dans lequel une pluralité de parties de conversion photoélectrique sont stratifiées dans chaque région de pixel. L'élément d'imagerie à semi-conducteurs comprend : un premier module de conversion photoélectrique ayant une première partie de conversion photoélectrique pour effectuer une conversion photoélectrique d'un faisceau lumineux dans une première région de longueur d'onde du faisceau lumineux entrant, une première électrode supérieure et une première électrode inférieure formées de manière à prendre en sandwich la première partie de conversion photoélectrique entre elles, et une première partie de correction spectrale formée en étant stratifiée sur la première unité de conversion photoélectrique entre la première électrode supérieure et la première électrode inférieure ; et une seconde partie de conversion photoélectrique réalisant une conversion photoélectrique d'un faisceau lumineux dans une seconde région de longueur d'onde différente de la première région de longueur d'onde du faisceau lumineux qui a traversé le premier module de conversion photoélectrique. La présente invention peut s'appliquer, par exemple, à un capteur d'image CMOS.
(JA)本開示は、集光効率の低下、斜め光耐性の悪化を抑止するとともに、固体撮像素子の低背化を実現することができるようにする固体撮像素子、および電子機器に関する。 本開示の第1の側面である固体撮像素子は、複数の光電変換部が各画素の領域に積層されている縦分光方式の固体撮像素子において、入射光の第1の波長域の光に対して光電変換を行う第1の光電変換部、前記第1の光電変換部を間に挟んで形成された第1の上部電極および第1の下部電極、並びに、前記第1の上部電極と前記第1の下部電極の間に前記第1の光電変換部に積層されて形成されている第1の分光補正部を有する第1の光電変換モジュールと、前記第1の光電変換モジュールを通過した光の前記第1の波長域とは異なる第2の波長域の光に対して光電変換を行う第2の光電変換部とを備える。本開示は、例えば、CMOSイメージセンサに適用できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)