WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2017169485) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.:    WO/2017/169485    International Application No.:    PCT/JP2017/008069
Publication Date: 05.10.2017 International Filing Date: 01.03.2017
IPC:
H01L 23/28 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01), H01L 23/50 (2006.01)
Applicants: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Inventors: NAGAMATSU Masayuki; (--).
MARUMO Shinya; (--).
KIMURA Jun'ichi; (--).
KUNISATO Tatsuya; (--).
USUI Ryosuke; (--)
Agent: KAMATA Kenji; (JP).
MAEDA Hiroo; (JP)
Priority Data:
2016-067197 30.03.2016 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device (6) is provided with a semiconductor element (7), a base (8), and a sheathing resin (10). The base (8) has a mounting surface (8A) on which the semiconductor element (7) is mounted, and grooves (9) provided around the semiconductor element (7) on the mounting surface (8A). The sheathing resin (10) covers the semiconductor element (7) and the base (8), and fills the grooves (9) so as to be fixed to the base (8). The bottoms (11) of the grooves (9) include first recesses and projections along the extension direction of the grooves (9), said first recesses and projections having a first amplitude and a first repeating interval. The first recesses and projections include second recesses and projections along the extension direction of the grooves (9), said second recesses and projections having a second amplitude that is smaller than the first amplitude, and a second repeating interval that is shorter than the first repeating interval.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteur (6) qui est pourvu d'un élément à semi-conducteur (7), d'une base (8) et d'une résine de gainage (10). La base (8) présente une surface de montage (8A) sur laquelle l'élément à semi-conducteur (7) est monté, et des rainures (9) ménagées autour de l'élément à semi-conducteur (7) sur la surface de montage (8A). La résine de gainage (10) recouvre l'élément à semi-conducteur (7) et la base (8), et remplit les rainures (9) de façon à être fixée à la base (8). Les fonds (11) des rainures (9) comprennent des premiers creux et saillies le long de la direction d'extension des rainures (9), lesdits premiers creux et saillies ayant une première amplitude et un premier intervalle de répétition. Les premiers creux et saillies comprennent des seconds creux et saillies le long de la direction d'extension des rainures (9), lesdits seconds creux et saillies ayant une seconde amplitude qui est inférieure à la première amplitude, et un second intervalle de répétition qui est plus court que le premier intervalle de répétition.
(JA)半導体装置(6)は、半導体素子(7)と、基台部(8)と、外装樹脂(10)と、を備える。基台部(8)は、半導体素子(7)が実装されている実装面(8A)と、実装面(8A)における半導体素子(7)の周囲に設けられている溝部(9)と、を有する。外装樹脂(10)は、半導体素子(7)と基台部(8)とを覆い、溝部(9)へ充填されることで基台部(8)に固定される。溝部(9)の底部(11)は、溝部(9)の延伸方向に沿って、第1振幅と第1反復間隔とを有する第1凹凸を含む。第1凹凸は、溝部(9)の延伸方向に沿って、第1振幅よりも小さい第2振幅と第1反復間隔よりも短い第2反復間隔とを有する第2凹凸を含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)