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1. (WO2017169175) NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
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Pub. No.: WO/2017/169175 International Application No.: PCT/JP2017/004982
Publication Date: 05.10.2017 International Filing Date: 10.02.2017
IPC:
H01L 29/861 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/329 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/47 (2006.01) ,H01L 29/868 (2006.01) ,H01L 29/872 (2006.01)
Applicants: SCIOCS COMPANY LIMITED[JP/JP]; 880, Isagozawa-cho, Hitachi-shi, Ibaraki 3191418, JP
SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED[JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260, JP
Inventors: NARITA Yoshinobu; JP
Agent: FUKUOKA Masahiro; JP
ABE Hiromi; JP
KITTAKA Hideo; JP
SHIRATORI Masahiro; JP
Priority Data:
2016-07054231.03.2016JP
Title (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体基板、半導体装置、および窒化物半導体基板の製造方法
Abstract: front page image
(EN) This nitride semiconductor substrate comprises a substrate made from an n-type semiconductor, and a drift layer formed on the substrate and made from gallium nitride which includes donors and carbons. The concentration of the donors in the drift layer is no more than 5.0×1016 donors/cm3, and across the entire area of the drift layer, is no less than the concentration of carbons functioning as acceptors in the drift layer; the difference obtained by subtracting the concentration of carbons functioning as acceptors in the drift layer from the concentration of donors in the drift layer increases gradually from the substrate side towards the surface side of the drift layer.
(FR) L'invention concerne un substrat semi-conducteur au nitrure qui comprend un substrat constitué d'un semi-conducteur du type n, et une couche de migration formée sur le substrat et constituée de nitrure de gallium qui comprend des donneurs et des carbones. La concentration des donneurs dans la couche de migration est inférieure ou égale à 5,0 × 1016 donneurs/cm3, et sur toute la zone de la couche de migration, est supérieure ou égale à la concentration de carbones jouant le rôle d'accepteurs dans la couche de migration ; la différence obtenue en soustrayant la concentration de carbones jouant le rôle d'accepteurs dans la couche de migration de la concentration de donneurs dans la couche de migration croît progressivement en allant du côté substrat vers le côté surface de la couche de migration.
(JA) n型の半導体からなる基板と、基板上に設けられ、ドナーおよび炭素を含む窒化ガリウムからなるドリフト層と、を有し、ドリフト層中のドナーの濃度は、5.0×1016個/cm以下であって、ドリフト層の全域に亘って、ドリフト層中でアクセプタとして機能する炭素の濃度以上であり、ドリフト層中のドナーの濃度からドリフト層中でアクセプタとして機能する炭素の濃度を引いた差は、基板側からドリフト層の表面側に向かって徐々に増加している。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)