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1. (WO2017169147) NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT
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Pub. No.: WO/2017/169147 International Application No.: PCT/JP2017/004495
Publication Date: 05.10.2017 International Filing Date: 08.02.2017
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
Applicants: SONY CORPORATION[JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
Inventors: SEJIMA, Koichi; JP
Agent: TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Priority Data:
2016-07116931.03.2016JP
Title (EN) NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE
(JA) 不揮発性メモリ素子および不揮発性メモリ素子の製造方法
Abstract: front page image
(EN) According to one embodiment of the present disclosure, a non-volatile memory element is provided with: a first electrode and a second electrode, which are disposed facing each other; a first magnetic material layer and a second magnetic material layer, which are provided between the first electrode and the second electrode; an insulating material layer that is provided between the first magnetic material layer and the second magnetic material layer; and a magnetic material oxide film that is provided around the first magnetic material layer.
(FR) Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un élément de mémoire non volatile comprenant : une première électrode et une seconde électrode, qui sont disposées en regard l'une de l'autre ; une première couche de matériau magnétique et une seconde couche de matériau magnétique, qui sont disposées entre la première électrode et la seconde électrode ; une couche de matériau isolant qui est disposée entre la première couche de matériau magnétique et la seconde couche de matériau magnétique ; et un film d'oxyde de matériau magnétique qui est disposé autour de la première couche de matériau magnétique.
(JA) 本開示の一実施形態の不揮発性メモリ素子は、対向配置された第1電極および第2電極と、第1電極と第2電極との間に設けられた第1磁性体層および第2磁性体層と、第1磁性体層と第2磁性体層との間に設けられた絶縁体層と、第1磁性体層の周囲に設けられた磁性体酸化膜とを備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)