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1. (WO2017168709) CHARGED PARTICLE BEAM APPLICATION DEVICE
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Pub. No.:    WO/2017/168709    International Application No.:    PCT/JP2016/060781
Publication Date: 05.10.2017 International Filing Date: 31.03.2016
IPC:
H01J 37/244 (2006.01), H01J 37/05 (2006.01), H01J 37/147 (2006.01), H01J 37/22 (2006.01)
Applicants: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
Inventors: SHIRASAKI, Yasuhiro; (JP).
ENYAMA, Momoyo; (JP)
Agent: TOU-OU PATENT FIRM; Urban Toranomon Bldg., 16-4, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
Title (EN) CHARGED PARTICLE BEAM APPLICATION DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'APPLICATION DE FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
(JA) 荷電粒子線応用装置
Abstract: front page image
(EN)This charged particle beam application device detects a secondary charged particle beam (109) that is generated by irradiating a primary charged particle beam (102) onto a sample (107). This charged particle beam application device comprises: an image shift deflector (104) moving the region to be irradiated when irradiating the primary charged particle beam onto the sample; a magnetic field sector (103) whereby the primary charged particle beam and the secondary charged particle beam from the sample which traverse the interior thereof become separated due to a magnetic field generated therein; a swing-back mechanism (110) disposed inside the magnetic field sector, offset from the primary charged particle beam trajectory, and on the secondary charged particle beam trajectory, for deflecting the secondary charged particle beam passing therethrough; and a controller (114) controlling the swing-back mechanism according to an established relationship between the shifting amount due to the image shift deflector and the swing-back amount due to the swing-back mechanism.
(FR)L'invention concerne dispositif un d'application de faisceau de particules chargées qui détecte un faisceau de particules chargées secondaire (109) qui est généré par irradiation d'un faisceau de particules chargées primaire (102) sur un échantillon (107). Ce dispositif d'application de faisceau de particules chargées comprend : un déflecteur de décalage d'image (104) déplaçant la région à irradier lors de l'irradiation du faisceau de particules chargées primaire sur l'échantillon; un secteur de champ magnétique (103) grâce auquel le faisceau de particules chargées primaire et le faisceau de particules chargées secondaire provenant de l'échantillon qui traversent l'intérieur de celui-ci sont séparés en raison d'un champ magnétique généré dans celui-ci; un mécanisme de balancement (110) disposé à l'intérieur du secteur de champ magnétique, décalé de la trajectoire du faisceau de particules chargées primaire, et situé sur la trajectoire du faisceau de particules chargées secondaire, pour dévier le faisceau de particules chargées secondaire passant à travers celui-ci; et un dispositif de commande (114) pour commander le mécanisme de balancement selon une relation établie entre la quantité de décalage due au déflecteur de décalage d'image et la quantité de balancement due au mécanisme de balancement.
(JA)一次荷電粒子線(102)を試料(107)に照射することによって発生する二次荷電粒子線(109)を検出する、荷電粒子線応用装置は、一次荷電粒子線を試料に照射する際の照射領域を移動する、イメージシフト偏向器(104)と、内部において生成した磁場によって、内部を通過する前記一次荷電粒子線と前記試料からの二次荷電粒子線とを分離する、磁場セクタ(103)と、前記磁場セクタの内部において、前記一次荷電粒子線の軌道から外れ、前記二次荷電粒子線の軌道上に配置され、通過する前記二次荷電粒子線を偏向する、振り戻し機構(110)と、前記イメージシフト偏向器によるシフト量と前記振り戻し機構による振り戻し量との間の規定された関係に従って、前記振り戻し機構を制御する、コントローラ(114)と、を含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)