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1. (WO2017168513) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND RECORDING MEDIUM
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Pub. No.:    WO/2017/168513    International Application No.:    PCT/JP2016/059909
Publication Date: 05.10.2017 International Filing Date: 28.03.2016
IPC:
H01L 21/31 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01)
Applicants: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 15-12, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058039 (JP)
Inventors: HANASHIMA, Takeo; (JP).
KAMAKURA, Tsukasa; (JP).
SASAKI, Takafumi; (JP).
YOSHIDA, Hidenari; (JP)
Priority Data:
Title (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND RECORDING MEDIUM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR, ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
(JA) 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a technique to improve inter-plane uniformity. [Solution] A substrate processing device is provided with: a processing chamber that internally houses a substrate holding tool for holding a plurality of substrates in a multistage manner and processes the substrates; a supply buffer portion that is adjacent to the processing chamber; a material gas supply portion placed inside the supply buffer portion; and a reactive gas supply portion placed inside the supply buffer portion. The material gas supply portion is configured so as to supply a material gas into the supply buffer portion from a position lower than or equal to the height of the substrate placed at the lowest stage of the substrate holding tool.
(FR)L'invention aborde le problème de la réalisation d'une technique pour améliorer l'uniformité entre plans. L'invention réalise à cet effet un dispositif de traitement de substrat comprenant : une chambre de traitement à l'intérieur de laquelle est accueilli un outil de maintien de substrat destiné à maintenir une pluralité de substrats d'une manière à étages multiples et qui traite les substrats ; une portion tampon d'alimentation qui est adjacente à la chambre de traitement ; une portion d'alimentation en gaz de matériau placée à l'intérieur de la portion tampon d'alimentation ; et une portion d'alimentation en gaz réactif placée à l'intérieur de la portion tampon d'alimentation. La portion d'alimentation en gaz de matériau est configurée pour fournir un gaz de matériau dans la portion tampon d'alimentation à partir d'une position plus basse ou au même niveau que la hauteur du substrat placé à l'étage le plus bas de l'outil de maintien de substrat.
(JA)[課題] 面間均一性を向上させる技術を提供する。 [解決手段] 複数枚の基板を多段に保持する基板保持具を内部に収容し、基板を処理する処理室と、処理室に隣接する供給バッファ部と、供給バッファ部内に設置される原料ガス供給部と、供給バッファ部内に設置される反応ガス供給部と、を備え、原料ガス供給部は、基板保持具の最下段の基板の高さ以下の位置から供給バッファ部内に原料ガスを供給するよう構成される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)