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1. (WO2017168259) SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER DEVICE AND METHOD OF OPERATING IT
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Pub. No.: WO/2017/168259 International Application No.: PCT/IB2017/000603
Publication Date: 05.10.2017 International Filing Date: 21.03.2017
IPC:
H01S 5/0683 (2006.01) ,H01S 5/50 (2006.01) ,H04B 10/291 (2013.01) ,H01S 5/00 (2006.01) ,H01S 5/0625 (2006.01) ,H01S 5/026 (2006.01) ,H04B 10/294 (2013.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
06
Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
068
Stabilisation of laser output parameters
0683
by monitoring the optical output parameters
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
50
Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02-H01S5/30100
H ELECTRICITY
04
ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
B
TRANSMISSION
10
Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
29
Repeaters
291
in which processing or amplification is carried out without conversion of the main signal from optical form
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
06
Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
062
by varying the potential of the electrodes
0625
in multi-section lasers
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
02
Structural details or components not essential to laser action
026
Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors or drivers
H ELECTRICITY
04
ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
B
TRANSMISSION
10
Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
29
Repeaters
291
in which processing or amplification is carried out without conversion of the main signal from optical form
293
Signal power control
294
in a multiwavelength system, e.g. gain equalisation
Applicants:
ALCATEL LUCENT [FR/FR]; 148/152 route de la Reine 92100 Boulogne-Billancourt, FR
Inventors:
SUN, Xiao; CN
GAO, Zhensen; CN
Agent:
SARUP, David Alexander; GB
Priority Data:
201610183621.728.03.2016CN
Title (EN) SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER DEVICE AND METHOD OF OPERATING IT
(FR) DISPOSITIF AMPLIFICATEUR OPTIQUE À SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT
Abstract:
(EN) An objective of the present invention is to provide a semiconductor optical amplifier (SOA) device, and a method of operating the SOA device. semiconductor optical amplifier (SOA) device, comprising: a semiconductor optical amplifier having a semiconductor substrate with an optical amplifier waveguide therein and a sequence of drive electrodes being located over a surface of aforesaid semiconductor substrate, aforesaid sequence extending along a light propagation direction in aforesaid optical amplifier waveguide; a light detector connected to measure a power of signal light input to aforesaid semiconductor optical amplifier; an electronic controller configured to inject currents into said sequence of drive electrodes based on aforesaid power measurement by the light detector. Compared with the prior art of an SOA device generally having one driving electrode, the present invention has the following advantages: by adjusting the magnitudes of currents injected into respective driving electrodes of the semiconductor optical amplifier, the solution of the present invention can increase the linear amplification region, thereby performing error-free signal amplification within a greater reception power range, which further avoids distortion of signal transmission.
(FR) Un objectif de la présente invention est de réaliser un dispositif amplificateur optique à semiconducteur (SOA), et un procédé de fonctionnement du dispositif SOA. Le dispositif amplificateur optique à semiconducteur (SOA) selon l'invention comprend : un amplificateur optique à semiconducteur doté d'un substrat en semiconducteur dans lequel se trouve un guide d'onde d'amplificateur optique et une séquence d'électrodes d'attaque disposées sur une surface dudit substrat en semiconducteur, ladite séquence s'étendant le long d'une direction de propagation de la lumière dans ledit guide d'ondes d'amplificateur optique ; un détecteur de lumière connecté pour mesurer une puissance lumineuse d'un signal appliqué à l'entrée dudit amplificateur optique à semiconducteur ; un contrôleur électronique configuré pour injecter des courants dans ladite séquence d'électrodes d'attaque sur la base de ladite mesure de puissance par le détecteur de lumière. En comparaison de l'état de la technique d'un dispositif SOA généralement pourvu d'une électrode d'attaque, la présente invention présente les avantages suivants : en ajustant les amplitudes des courants injectés dans des électrodes d'attaque respectives de l'amplificateur optique à semiconducteur, la solution selon la présente invention permet d'accroître la région d'amplification linéaire, réalisant ainsi une amplification de signal sans erreur dans une plage de puissance de réception plus grande, ce qui évite en outre la distorsion de l'émission du signal.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)