(EN) A field effect transistor has: a gate electrode for applying a gate voltage; a source electrode and a drain electrode for transmitting electrical signals; an active layer formed between the source electrode and the drain electrode; and a gate insulating layer formed between the gate electrode and the active layer, the field effect transistor being characterized in that the active layer includes at least two types of oxide layer, an A layer and a B layer; and the active layer satisfies condition (1) and/or (2) noted below. Condition (1): The active layer is composed of three or more oxide layers, including two or more of the A layer. Condition (2): The bandgap of the A layer is smaller than the bandgap of the B layer, and the oxygen affinity of the A layer is equal to or greater than the oxygen affinity of the B layer.
(FR) L'invention concerne un transistor à effet de champ comprenant: une électrode de grille servant à appliquer une tension de grille; une électrode de source et une électrode de drain servant à transmettre des signaux électriques; une couche active formée entre l'électrode de source et l'électrode de drain; et une couche d'isolation de grille formée entre l'électrode de grille et la couche active, le transistor à effet de champ étant caractérisé en ce que la couche active comprend au moins deux types de couche d'oxyde, une couche A et une couche B; et la couche active satisfaisant les conditions (1) et/ou (2) énoncées ci-dessous. Condition (1) : la couche active est composée d'au moins trois couches d'oxyde, comprenant au moins deux couches de type A. Condition (2) : la bande interdite de la couche A est plus petite que la bande interdite de la couche B, et l'affinité pour l'oxygène de la couche A est supérieure ou égale à l'affinité pour l'oxygène de la couche B.
(JA) ゲート電圧を印加するためのゲート電極と、 電気信号を伝達するためのソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に形成された活性層と、 前記ゲート電極と前記活性層との間に形成されたゲート絶縁層と、を有する電界効果型トランジスタであって、 前記活性層が、少なくともA層とB層の2種類の酸化物層を含み、 前記活性層が、下記条件(1)及び(2)の少なくともいずれかを満たすことを特徴とする電界効果型トランジスタ。 条件(1):前記活性層が、2層以上の前記A層を含む3層以上の酸化物層から構成される。 条件(2)前記A層のバンドギャップが、前記B層のバンドギャップより小さく、かつ前記A層の酸素親和力が、前記B層の酸素親和力以上である。