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1. (WO2017157486) SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.: WO/2017/157486 International Application No.: PCT/EP2016/075970
Publication Date: 21.09.2017 International Filing Date: 27.10.2016
IPC:
H01L 23/49 (2006.01) ,H01L 23/492 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 23/49][IPC code unknown for H01L 23/492]
Applicants:
ABB SCHWEIZ AG [CH/CH]; Brown Boveri Strasse 6 5400 Baden, CH
AUDI AG [DE/DE]; - 85045 Ingolstadt, DE
Inventors:
LIU, Chunlei; CH
MOHN, Fabian; CH
BREM, Franziska; CH
Agent:
ABB PATENT ATTORNEYS; Zusammenschluss 154 c/o ABB Schweiz AG Intellectual Property (CH-IP) Brown Boveri Strasse 6 5400 Baden, CH
Priority Data:
16160711.416.03.2016EP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract:
(EN) A semiconductor device (28) comprises a semiconductor element (10) with a power electrode area (16), a control electrode area (18) and an elevated control electrode structure (20) on one side, wherein the elevated control electrode structure (20) is interconnected with the control electrode area (18) and protrudes the power electrode area (16); and a grooved plate (30), which is bonded with a grooved side (34) to the power electrode area (16); wherein the grooved plate (30) has at least one groove (36) in the grooved side (34), in which at least a part of the control electrode structure (20) is accommodated, whereby the grooved plate (30) is sintered via a sintering preform (40) interpositioned between the grooved plate (30) and the semiconductor element (10) to the power electrode area (16), such that the sintering preform (40) covers the elevated control electrode structure (20).
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs (28) qui comprend un élément semi-conducteur (10) ayant une zone d'électrode de puissance (16), une zone d'électrode de commande (18) et une structure d'électrode de commande élevée (20) sur un côté, la structure d'électrode de commande élevée (20) étant interconnectée à la zone d'électrode de commande (18) et dépassant la zone d'électrode de puissance (16) ; et une plaque rainurée (30) qui est reliée avec un côté rainuré (34) à l'électrode de puissance (16), la plaque rainurée (30) comportant au moins une rainure (36) sur le côté rainuré (34) où au moins une partie de la structure d'électrode de commande (20) est reçue de telle sorte que la plaque rainurée (30) soit frittée par le biais d'une préforme de frittage (40) intercalée entre la plaque rainurée (30) et l'élément semi-conducteur (10) à la zone d'électrode de puissance (16) de telle sorte que la préforme de frittage (40) recouvre la structure d'électrode de commande élevée (20).
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Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)