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1. (WO2017156885) THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF, AND DISPLAY DEVICE
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Pub. No.: WO/2017/156885 International Application No.: PCT/CN2016/083905
Publication Date: 21.09.2017 International Filing Date: 30.05.2016
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,G09G 3/36 (2006.01) ,H01L 21/77 (2017.01) ,H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 29/786][IPC code unknown for G09G 3/36][IPC code unknown for H01L 21/77][IPC code unknown for H01L 27/12][IPC code unknown for H01L 29/423]
Applicants:
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
合肥鑫晟光电科技有限公司 HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国安徽省合肥市 新站区工业园 Xinzhan Industrial Park, Hefei Anhui 230012, CN
Inventors:
张淼 ZHANG, Miao; CN
孙静 SUN, Jing; CN
Agent:
中科专利商标代理有限责任公司 CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; 中国北京市 海淀区西三环北路87号4-1105室 Suite 4-1105, No. 87, West 3rd Ring North Rd., Haidian District Beijing 100089, CN
Priority Data:
201610144790.X14.03.2016CN
Title (EN) THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF, AND DISPLAY DEVICE
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SUBSTRAT DE MATRICE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DE COMMANDE ASSOCIÉ, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管、阵列基板及其制作和驱动方法、显示装置
Abstract:
(EN) A thin film transistor, an array substrate and a manufacturing and driving method thereof, and a display device. The thin film transistor comprises an active layer (130) formed by an oxide semiconductor material, a grid electrode insulated from the active layer (130), a source electrode (151) contacting the active layer (130) and a drain electrode (152) contacting the active layer (130), wherein the grid electrode comprises a first grid electrode (110) disposed below the active layer (130) and a second grid electrode (170) disposed above the active layer (130). By alternately controlling the first grid electrode (110) and the second grid electrode (170), threshold voltage drift of the oxide thin film transistor can be inhibited, thereby improving stability of the switching characteristics of the oxide thin film transistor.
(FR) L'invention concerne un transistor à couches minces, un substrat de matrice et un procédé de fabrication et de commande associé, ainsi qu'un dispositif d'affichage. Le transistor à couches minces comprend une couche active (130) formée par un matériau semi-conducteur d'oxyde, une électrode de grille isolée de la couche active (130), une électrode de source (151) en contact avec la couche active (130) et une électrode de drain (152) en contact avec la couche active (130), l'électrode de grille comprenant une première électrode de grille (110) disposée en dessous de la couche active (130) et une deuxième électrode de grille (170) disposée au-dessus de la couche active (130). La commande alternée de la première électrode de grille (110) et de la deuxième électrode de grille (170) permet d'empêcher la dérive de tension de seuil du transistor à couches minces d'oxyde, ce qui améliore la stabilité des caractéristiques de commutation dudit transistor.
(ZH) 一种薄膜晶体管、阵列基板及其制作和驱动方法、显示装置,该薄膜晶体管包括由氧化物半导体材料形成的有源层(130)、与有源层(130)绝缘的栅极、与有源层(130)接触的源极(151)以及与有源层(130)接触的漏极(152),其中,栅极包括位于有源层(130)下方的第一栅极(110)以及位于有源层(130)上方的第二栅极(170)。通过对第一栅极(110)和第二栅极(170)交替进行控制,能够抑制氧化物薄膜晶体管的阈值电压漂移,提高氧化物薄膜晶体管开关特性的稳定性。
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Publication Language: Chinese (ZH)
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