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1. (WO2017156799) METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND LIQUID CRYSTAL PANEL
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Pub. No.: WO/2017/156799 International Application No.: PCT/CN2016/078037
Publication Date: 21.09.2017 International Filing Date: 31.03.2016
IPC:
H01L 21/84 (2006.01) ,H01L 27/12 (2006.01) ,G02F 1/1333 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 21/84][IPC code unknown for H01L 27/12][IPC code unknown for G02F 1/1333][IPC code unknown for G02F 1/1368]
Applicants:
深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区塘明大道9-2号 No.9-2, Tangming Rd, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventors:
姚江波 YAO, Jiangbo; CN
Agent:
广州三环专利商标代理有限公司 SCIHEAD IP LAW FIRM; 中国广东省广州市 越秀区先烈中路80号汇华商贸大厦1508室 Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No. 80, XianLie Zhong Road, Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510070, CN
Priority Data:
201610153360.417.03.2016CN
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND LIQUID CRYSTAL PANEL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET ÉCRAN À CRISTAUX LIQUIDES
(ZH) 薄膜晶体管基板的制备方法、薄膜晶体管基板和液晶面板
Abstract:
(EN) Disclosed are a thin film transistor substrate and a method for manufacturing the same. The method comprises forming on a substrate (201) sequentially a gate (202), a gate insulation layer (203), a source (205) and an active layer (204), a passivation layer (209), a drain (211), and a pixel electrode (212). Orthographic projections of the gate, the gate insulation layer, the source and the active layer, the passivation layer, and the drain on the substrate form centrally symmetric and mutually concentric shapes. Also disclosed is a liquid crystal panel having the thin film transistor substrate. The thin film transistor of the present invention has uniform electrical properties in various bending directions, and thus is not susceptible to stress failure upon bending, thereby increasing reliability of the thin film transistor.
(FR) La présente invention concerne un substrat de transistor à couches minces et son procédé de fabrication. Le procédé comprend la formation séquentielle, sur un substrat (201), d'une grille (202), d'une couche d'isolation de grille (203), d'une source (205) et d'une couche active (204), d'une couche de passivation (209), d'un drain (211), et d'une électrode de pixel (212). Des projections orthographiques de la grille, de la couche d'isolation de grille, de la source et de la couche active, de la couche de passivation et du drain sur le substrat prennent des formes à symétrie centrale et concentriques. L'invention concerne également un écran à cristaux liquides comprenant le substrat de transistor à couches minces. Le transistor à couches minces de la présente invention possède des propriétés électriques uniformes dans diverses directions de flexion, et n'est donc pas sujet à une rupture par contrainte lors d'une flexion, ce qui permet d'améliorer la fiabilité du transistor à couches minces.
(ZH) 一种薄膜晶体管基板及其制备方法,包括依次在衬底(201)上形成栅极(202)、栅极绝缘层(203)、源极(205)与有源层(204)、钝化层(209)、漏极(211)与像素电极(212),栅极、栅极绝缘层、源极与有源层、钝化层与漏极在衬底上的正投影均为互相同心的中心对称图形。一种具有该薄膜晶体管基板的液晶面板。该薄膜晶体管在各个弯曲方向上的电学特性均匀一致;且使得薄膜晶体管在弯曲时不易发生应力损坏,提升了薄膜晶体管的可靠性。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)