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1. (WO2017156444) OFFSET COMPENSATION FOR FERROELECTRIC MEMORY CELL SENSING
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Pub. No.: WO/2017/156444 International Application No.: PCT/US2017/021884
Publication Date: 14.09.2017 International Filing Date: 10.03.2017
IPC:
G11C 11/22 (2006.01) ,G11C 7/06 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
11
Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21
using electric elements
22
using ferroelectric elements
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
7
Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
06
Sense amplifiers; Associated circuits
Applicants:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
Inventors:
VIMERCATI, Daniele; US
Agent:
KRAFT, Aaron J.; US
Priority Data:
15/067,83811.03.2016US
Title (EN) OFFSET COMPENSATION FOR FERROELECTRIC MEMORY CELL SENSING
(FR) COMPENSATION DE DÉCALAGE POUR DÉTECTION DE CELLULE DE MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE
Abstract:
(EN) Methods, systems, and devices for operating a ferroelectric memory cell or cells are described. Offsets in the threshold voltage of switching components (e.g., transistors) connected to digit lines may be compensated by using various operating techniques or additional circuit components, or both. For example, a switching component connected to a digit line may also be connected to an offset capacitor selected to compensate for a threshold voltage offset. The offset capacitor may be discharged in conjunction with a read operation, resulting in a threshold voltage applied to the switching component. This may enable all or substantially all of the stored charge of the ferroelectric memory cell to be extracted and transferred to a sense capacitor through the transistor. A sense amplifier may compare the voltage of the sense capacitor to a reference voltage in order to determine the stored logic state of the memory cell.
(FR) L'invention concerne des procédés, des systèmes et des dispositifs permettant de faire fonctionner une ou plusieurs cellules de mémoire ferroélectriques. Des décalages dans la tension de seuil de composants de commutation (par exemple des transistors) connectés à des lignes numériques peuvent être compensés en utilisant diverses techniques de fonctionnement ou des composants de circuit supplémentaires, ou les deux. Par exemple, un composant de commutation connecté à une ligne de chiffres peut également être connecté à un condensateur de décalage sélectionné pour compenser un décalage de tension de seuil. Le condensateur de décalage peut être déchargé conjointement avec une opération de lecture, conduisant à une tension de seuil appliquée au composant de commutation. Ceci peut permettre à la totalité ou une partie de la charge stockée de la cellule de mémoire ferroélectrique d'être extraite et transférée à un condensateur de détection à travers le transistor. Un amplificateur de détection peut comparer la tension du condensateur de détection avec une tension de référence afin de déterminer l'état logique stocké de la cellule de mémoire.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)