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1. (WO2017155689) LOW CAPACITANCE THROUGH SUBSTRATE VIA STRUCTURES
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Pub. No.: WO/2017/155689 International Application No.: PCT/US2017/018834
Publication Date: 14.09.2017 International Filing Date: 22.02.2017
IPC:
H01L 21/768 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 21/768]
Applicants:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, Idaho 83716, US
Inventors:
PANDEY, Deepak C.; US
LIU, Haitao; US
MOULI, Chandra; US
Agent:
QUECAN, Andrew; Dorsey & Whitney LLP 701 5th Ave Suite 6100 Seattle, Washington 98104, US
ENG, Kimton; US
HEGSTROM, Brandon; US
IGNAT, Brian J.; US
ITO, Mika; US
MAKINO, Kyoko; US
MEIKLEJOHN, Paul T.; US
NYRE, Erik; US
ORME, Nathan; US
QUECAN, Andrew; US
SPAITH, Jennifer; US
STERN, Ronnie; US
WETZEL, Elen; US
YI, Francis; US
ANDKEN, Kerrylee; US
CARMAN, Derrick; US
Priority Data:
15/062,67507.03.2016US
Title (EN) LOW CAPACITANCE THROUGH SUBSTRATE VIA STRUCTURES
(FR) SUBSTRAT TRAVERSANT À FAIBLE CAPACITÉ FORMÉ PAR L’INTERMÉDIAIRE DE STRUCTURES
Abstract:
(EN) Apparatuses and methods are disclosed herein for the formation of low capacitance through substrate via structures. An example apparatus includes an opening formed in a substrate, wherein the opening has at least one sidewall, a first dielectric at least formed on the sidewall of the opening, a first conductor at least formed on the first dielectric, a second dielectric at least formed on the first conductor, and a second conductor at least formed on a sidewall of the second dielectric.
(FR) La présente invention concerne des appareils et des procédés destinés à la formation d’un substrat traversant à faible capacité par l’intermédiaire de structures. Un appareil à titre d’exemple comprend une ouverture formée dans un substrat, l’ouverture ayant au moins une paroi latérale, un premier matériau diélectrique au moins formé sur la paroi latérale de l’ouverture, un premier conducteur au moins formé sur le premier matériau diélectrique, un second matériau diélectrique au moins formé sur le premier conducteur, et un second conducteur au moins formé sur une paroi latérale du second matériau diélectrique.
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Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)