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1. (WO2017155582) HIGH EFFICIENCY PHOTON DETECTION
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Pub. No.: WO/2017/155582 International Application No.: PCT/US2016/066546
Publication Date: 14.09.2017 International Filing Date: 14.12.2016
IPC:
G01T 3/00 (2006.01) ,G01T 1/36 (2006.01)
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
T
MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
3
Measuring neutron radiation
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
T
MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
1
Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
36
Measuring spectral distribution of X-rays or of nuclear radiation
Applicants:
ELWHA LLC [US/US]; 3150 139th Ave SE Bellevue, Washington 98005-4046, US
Inventors:
CANNARA, Rachel; US
SHARIFI, Fred; US
SMOLYANITSKY, Alex; US
Agent:
STEWART, John C.; US
TEGREENE, Clarence T.; US
CHAN, Alistair K.; US
MALASKA, Stephen L.; US
ROCHESTER, S. Craig; US
Priority Data:
62/267,67715.12.2015US
Title (EN) HIGH EFFICIENCY PHOTON DETECTION
(FR) DÉTECTION DE PHOTONS À HAUT RENDEMENT
Abstract:
(EN) A detection pixel includes a material that is chosen so that its (averaged) atomic number density leads to the Compton process being the dominant scattering mechanism in response to incident photons, leading to production of Compton electrons with sufficient number and kinetic energy to produce an electric or magnetic response in the material. The incident photon and Compton electrons each have a characteristic travel distance in the material, and the detection pixel has at least one dimension that is selected according to a range defined by these characteristic travel distances. The detection pixels may be arranged in an array for imaging.
(FR) L'invention concerne un pixel de détection qui comprend un matériau qui est choisi de telle sorte que sa masse volumique (moyennée) de numérique atomique amène le processus Compton à être le mécanisme de diffusion dominant en réponse à des photons incidents, entraînant une production d'électrons Compton en nombre suffisant et avec une énergie cinétique suffisante pour produire une réponse électrique ou magnétique dans le matériau. Les photons incidents et les électrons Compton ont chacun une distance de déplacement caractéristique dans le matériau, et le pixel de détection a au moins une dimension qui est sélectionnée selon une plage définie par ces distances de déplacement caractéristiques. Les pixels de détection peuvent être agencés en réseau pour l'imagerie.
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Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)