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1. (WO2017154407) PLASMA TREATMENT METHOD AND PLASMA TREATMENT DEVICE
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Pub. No.: WO/2017/154407 International Application No.: PCT/JP2017/003258
Publication Date: 14.09.2017 International Filing Date: 31.01.2017
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 21/3065][IPC code unknown for H05H 1/46]
Applicants:
株式会社 日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
Inventors:
寺倉 聡志 TERAKURA Satoshi; JP
森 政士 MORI Masahito; JP
荒瀬 高男 ARASE Takao; JP
岩瀬 拓 IWASE Taku; JP
Agent:
岩崎 重美 IWASAKI Shigemi; JP
Priority Data:
2016-06297728.03.2016JP
Title (EN) PLASMA TREATMENT METHOD AND PLASMA TREATMENT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
Abstract:
(EN) The present invention provides a plasma treatment method that, when a laminated film using a boron-containing amorphous carbon film is etched, enables continuous processing by achieving a high selection ratio and a high etching rate, that achieves high throughput including previous and subsequent steps by simplifying the mask deposition step, and that has vertical processing shape controllability, and a treatment device therefor. The present invention is characterized in that in a plasma treatment method for forming a mask by plasma etching a laminated film having a boron-containing amorphous carbon film, the boron-containing amorphous carbon film is plasma etched using a mixed gas of oxygen gas, fluorine-containing gas, halogen gas, and silicon tetrafluoride gas, or a mixed gas of oxygen gas, fluorine-containing gas, halogen gas, and silicon tetrachloride gas.
(FR) La présente invention concerne un procédé de traitement par plasma qui, lorsqu'un film stratifié utilisant un film de carbone amorphe contenant du bore est gravé, permet un traitement continu par obtention d'un rapport de sélection élevé et d'une vitesse de gravure élevée, qui atteint un débit élevé y compris des étapes précédentes et suivantes par simplification de l'étape de dépôt de masque, et qui présente une contrôlabilité de forme de traitement verticale, et un dispositif de traitement associé. La présente invention est caractérisée en ce que, dans un procédé de traitement par plasma destiné à former un masque par gravure par plasma d'un film stratifié comprenant un film de carbone amorphe contenant du bore, le film de carbone amorphe contenant du bore est gravé par plasma à l'aide d'un mélange gazeux composé d'oxygène gazeux, d'un gaz contenant du fluor, d'un halogène gazeux et de tétrafluorure de silicium gazeux, ou d'un mélange gazeux composé d'oxygène gazeux, d'un gaz contenant du fluor, d'un halogène gazeux et de tétrachlorure de silicium gazeux.
(JA) 本発明は、ホウ素が含有されたアモルファスカーボン膜を用いた積層膜をエッチングする際、高選択比、高エッチングレートを実現することで一貫加工を可能とし、マスク成膜工程を簡素化することにより前後工程含めた高スループット化を実現し、さらに、垂直加工の形状制御性を有するプラズマ処理方法、およびその処理装置を提供する。 本発明は、ホウ素が含有されたアモルファスカーボン膜を有する積層膜をプラズマエッチングすることによりマスクを形成するプラズマ処理方法において、酸素ガスとフッ素含有ガスとハロゲンガスと四フッ化シリコンガスの混合ガスまたは酸素ガスとフッ素含有ガスとハロゲンガスと四塩化シリコンガスの混合ガスを用いて前記ホウ素が含有されたアモルファスカーボン膜をプラズマエッチングすることを特徴とする。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)