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1. (WO2017154404) SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
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Pub. No.: WO/2017/154404 International Application No.: PCT/JP2017/003190
Publication Date: 14.09.2017 International Filing Date: 30.01.2017
IPC:
H01L 31/10 (2006.01) ,H01L 33/38 (2010.01) ,H01L 33/40 (2010.01)
[IPC code unknown for H01L 31/10][IPC code unknown for H01L 33/38][IPC code unknown for H01L 33/40]
Applicants:
DOWAエレクトロニクス株式会社 DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区外神田4丁目14番1号 4-14-1, Sotokanda, Chiyoda-ku Tokyo 1010021, JP
Inventors:
田崎 寛郎 TASAKI Norio; JP
Agent:
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
Priority Data:
2016-04882011.03.2016JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF OPTIQUE À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
(JA) 半導体光デバイスおよびその製造方法
Abstract:
(EN) Provided are: a semiconductor optical device having a reduced peeling rate of a wiring electrode section, while having a higher light extraction efficiency or light intake efficiency compared with conventional cases; and a method for manufacturing the semiconductor device. The present invention discloses a semiconductor optical device wherein: a wiring electrode section 120 is provided on the front surface of a semiconductor layer 110, said front surface being to be a light emitting surface or a light receiving surface; the line width W1 of the wiring electrode section 120 is 2-5 μm; the wiring electrode section 120 has a metal layer 121 on the semiconductor layer 110, and a conductive hard film 122 on the metal layer 121; and the conductive hard film 122 has a hardness that is higher than that of the metal layer 121.
(FR) L'invention concerne un dispositif optique à semi-conducteurs présentant un taux de pelage réduit d'une section d'électrode de câblage, tout en présentant un rendement d'extraction de lumière élevé ou un rendement d'admission de lumière élevé par comparaison avec des dispositifs conventionnels ; et un procédé pour la fabrication du dispositif à semi-conducteurs. La présente invention concerne un dispositif optique à semi-conducteurs dans lequel : une section d'électrode de câblage 120 est prévue sur la surface avant d'une couche conductrice 110, ladite surface avant étant prévue pour être une surface d'émission de lumière ou une surface de réception de lumière ; la largeur de ligne W1 de la section d'électrode de câblage 120 est comprise entre 2-5 µm ; la section d'électrode de câblage 120 présente une couche métallique 121 sur la couche semi-conductrice 110, et un film dur conducteur 122 sur la couche métallique 121 ; et le film dur conducteur 122 présente une dureté supérieure à celle de la couche métallique 121.
(JA) 従来よりも優れた光取り出し効率または光取り込み効率を有しつつ、配線電極部の剥離率が低減した半導体光デバイスおよびその製造方法を提供する。 本発明の半導体光デバイスは、発光面または受光面となる半導体層110の表面に配線電極部120が設けられ、配線電極部120の線幅Wが2μm以上5μm以下であり、配線電極部120は、半導体層110上の金属層121と、金属層121上の導電性硬質膜122とを有し、導電性硬質膜122は金属層121よりも硬度が高い。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)