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1. (WO2017154385) SEMICONDUCTOR STORAGE ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STORAGE ELEMENT
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Pub. No.: WO/2017/154385 International Application No.: PCT/JP2017/002216
Publication Date: 14.09.2017 International Filing Date: 24.01.2017
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70
Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in or on a common substrate or of specific parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of specific parts thereof
77
Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78
with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82
to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822
the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232
Field-effect technology
8234
MIS technology
8239
Memory structures
8246
Read-only memory structures (ROM)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27
Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02
including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04
the substrate being a semiconductor body
10
including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105
including field-effect components
Applicants:
ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南1丁目7番1号 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
Inventors:
塚本 雅則 TSUKAMOTO, Masanori; JP
Agent:
亀谷 美明 KAMEYA, Yoshiaki; JP
金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; JP
萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi; JP
松本 一騎 MATSUMOTO, Kazunori; JP
Priority Data:
2016-04334707.03.2016JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR STORAGE ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STORAGE ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE STOCKAGE À SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, APPAREIL ÉLECTRONIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN ÉLÉMENT DE STOCKAGE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体記憶素子、半導体装置、電子機器、および半導体記憶素子の製造方法
Abstract:
(EN) Provided is a semiconductor storage element, which is capable of performing operations at a higher speed, and which is provided with: a first conductivity-type first semiconductor layer (42); a second conductivity-type second semiconductor layer (41) that is provided under the first semiconductor layer; a gate electrode (21) that is provided above the first semiconductor layer; a gate insulating film (22) that is provided between the first semiconductor layer and the gate electrode; a second conductivity-type drain region (31) that is provided in the first semiconductor layer on one side of the gate electrode; a second conductivity-type source region (32) that is provided in the first semiconductor layer on the other side of the gate electrode, said the other side being the opposite side to the one side by having the gate electrode therebetween; and a bit line (54) electrically connected to both the source region and the first semiconductor layer. Also provided are a semiconductor device, an electronic apparatus, and a method for manufacturing the semiconductor storage element.
(FR) L’invention concerne un élément de stockage à semi-conducteurs, qui est apte à réaliser des opérations à une vitesse supérieure, et qui comporte : une première couche à semi-conducteurs d’un premier type de conductivité (42) ; une seconde couche à semi-conducteurs d'un seconde type de conductivité (41) qui est disposée sous la première couche à semi-conducteurs ; une électrode de grille (21) qui est disposée au-dessus de la première couche à semi-conducteurs ; un film d’isolation de grille (22), qui est disposé entre la première couche à semi-conducteurs et l’électrode de grille ; une région de drain d'un second type de conductivité (31) qui est disposée dans la première couche à semi-conducteurs sur un côté de l’électrode de grille ; une région de source d'un second type de conductivité (32) qui est disposée dans la première couche à semi-conducteurs sur l’autre côté de l’électrode de grille, ledit autre côté étant le côté opposé au premier côté en ayant l’électrode de grille entre eux ; et une ligne de bits (54) connectée électriquement à la fois à la région de source et à la première couche à semi-conducteurs. L’invention concerne également un dispositif à semi-conducteurs, un appareil électronique, et un procédé de fabrication de l’élément de stockage à semi-conducteurs.
(JA) 第1導電型である第1半導体層(42)と,前記第1半導体層の下に設けられ,第2導電型である第2半導体層(41)と,前記第1半導体層の上に設けられたゲート電極(21)と,前記第1半導体層と,前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁膜(22)と,前記ゲート電極の一方の側の前記第1半導体層に設けられ,第2導電型であるドレイン領域(31)と,前記ゲート電極を挟んで前記一方の側と対向する他方の側の前記第1半導体層に設けられ,第2導電型であるソース領域(32)と,前記ソース領域および前記第1半導体層の両方と電気的に接続するビット線(54)とを備え,より高速での動作が可能な半導体記憶素子,半導体装置,電子機器,および半導体記憶素子の製造方法を提供する。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)