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1. (WO2017154382) STORAGE DEVICE, INFORMATION PROCESSING DEVICE, AND METHOD FOR CONTROLLING STORAGE DEVICE
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Pub. No.: WO/2017/154382 International Application No.: PCT/JP2017/002120
Publication Date: 14.09.2017 International Filing Date: 23.01.2017
IPC:
G11C 11/15 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
11
Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02
using magnetic elements
14
using thin-film elements
15
using multiple magnetic layers
Applicants:
ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南1丁目7番1号 1-7-1 Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
Inventors:
鈴木 哲広 SUZUKI, Tetsuhiro; JP
Agent:
丸島 敏一 MARUSHIMA, Toshikazu; JP
Priority Data:
2016-04798611.03.2016JP
Title (EN) STORAGE DEVICE, INFORMATION PROCESSING DEVICE, AND METHOD FOR CONTROLLING STORAGE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE, DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'INFORMATIONS, ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE DISPOSITIF DE STOCKAGE
(JA) 記憶装置、情報処理装置、および、記憶装置の制御方法
Abstract:
(EN) The purpose of the present invention is to accurately retrieve data in a storage device equipped with a variable-resistance cell. When a reference cell circuit receives an initialization signal exceeding a prescribed inversion threshold, the resistance value thereof changes to a prescribed initial value. When a reference signal source is commanded to read data from a memory cell, the reference signal source inputs a reference read signal with a prescribed value not exceeding the prescribed inversion threshold into the reference cell circuit after inputting the initialization signal into the reference cell circuit. A cell signal source inputs a cell read signal with the prescribed value into the memory cell after the input of the initialization signal. A comparator compares a reference signal output from the reference cell circuit into which the reference read signal is input and a cell signal output from the memory cell into which the cell read signal is input, and acquires comparison results as read data.
(FR) L'objet de la présente invention est de récupérer avec précision des données dans un dispositif de stockage équipé d'une cellule à résistance variable. Lorsqu'un circuit de cellule de référence reçoit un signal d'initialisation dépassant un seuil d'inversion prescrit, sa valeur de résistance passe à une valeur initiale prescrite. Lorsqu'une source de signal de référence est commandée pour lire des données à partir d'une cellule de mémoire, la source de signal de référence entre un signal de lecture de référence avec une valeur prescrite ne dépassant pas le seuil d'inversion prescrit dans le circuit de cellule de référence après l'entrée du signal d'initialisation dans le circuit de cellule de référence. Une source de signal de cellule entre un signal de lecture de cellule avec la valeur prescrite dans la cellule de mémoire après l'entrée du signal d'initialisation. Un comparateur compare une sortie de signal de référence provenant du circuit de cellule de référence dans lequel le signal de lecture de référence est entré et une sortie de signal de cellule provenant de la cellule de mémoire dans laquelle le signal de lecture de cellule est entré, et acquiert les résultats de comparaison en tant que données de lecture.
(JA) 抵抗値が可変のセルを備える記憶装置においてデータを正確に読み出す。 リファレンスセル回路は、所定の反転閾値を超える初期化信号が入力されると抵抗値が所定の初期値に変化する。リファレンス側信号源は、メモリセルに対する読出しが指示されると初期化信号を前記リファレンスセル回路に入力した後に所定の反転閾値を超えない所定値のリファレンス側読出し信号をリファレンスセル回路に入力する。セル側信号源は、初期化信号が入力された後に所定値のセル側読出し信号をメモリセルに入力する。比較部は、リファレンス側読出し信号が入力されたリファレンスセル回路から出力された参照信号とセル側読出し電流が入力されたメモリセルから出力されたセル信号とを比較して当該比較結果をリードデータとして取得する。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)