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1. (WO2017153787) NORMALLY-OFF TRANSISTORS
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Pub. No.: WO/2017/153787 International Application No.: PCT/GB2017/050682
Publication Date: 14.09.2017 International Filing Date: 13.03.2017
IPC:
H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/20 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 29/778][IPC code unknown for H01L 29/20]
Applicants:
THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD [GB/GB]; Firth Court Western Bank Sheffield South Yorkshire S10 2TB, GB
Inventors:
MADATHIL, Sankara Narayanan Ekkanath; GB
UNNI, Vineet; null
Agent:
BARKER BRETTELL LLP; Medina Chambers Town Quay Southampton Hampshire SO14 2AQ, GB
Priority Data:
1604231.911.03.2016GB
Title (EN) NORMALLY-OFF TRANSISTORS
(FR) TRANSISTORS NORMALEMENT HORS TENSION
Abstract:
(EN) A normally-off transistor comprising a first layer (102) of semiconductor material, a second layer (104) of semiconductor material comprising first (106) and second (108) regions and a third region (110) between the first and second region, a source electrode (130) connected to the first region (104) and a drain electrode (132) connected to the second region (108), and a gate electrode (134) located over the third region (110), wherein the first (104) and second (108) regions are of a material arranged to form a polarization having a first polarity at the interface (114, 116) between the first and second regions and the first semiconductor layer (102), and the third region (110) is of a material arranged to form a polarization having a second polarity opposite to the first polarity at the interface (118) between the third region and the first semiconductor layer of opposite polarity.
(FR) L’invention concerne un transistor normalement hors tension comprenant une première couche (102) d’un matériau semi-conducteur, une seconde couche (104) d’un matériau semi-conducteur comprenant des première (106) et deuxième (108) régions et une troisième région (110) entre les première et deuxième régions, une électrode de source (130) reliée à la première région (104) et une électrode de drain (132) reliée à la deuxième région (108), et une électrode de grille (134) située sur la troisième région (110), les première (104) et deuxième (108) régions étant constituées d’un matériau conçu pour former une polarisation ayant une première polarité au niveau de l’interface (114, 116) entre les première et deuxième régions et la première couche semi-conductrice (102), et la troisième région (110) étant constituée d’un matériau conçu pour former une polarisation ayant une seconde polarité opposée à la première polarité au niveau de l’interface (118) entre la troisième région et la première couche semi-conductrice de polarité opposée.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)