Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2017153123) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2017/153123 International Application No.: PCT/EP2017/053015
Publication Date: 14.09.2017 International Filing Date: 10.02.2017
IPC:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/38 (2010.01) ,H01L 33/42 (2010.01) ,H01L 25/075 (2006.01) ,H01L 33/62 (2010.01)
[IPC code unknown for H01L 33][IPC code unknown for H01L 33/38][IPC code unknown for H01L 33/42][IPC code unknown for H01L 25/075][IPC code unknown for H01L 33/62]
Applicants:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventors:
HUPPMANN, Sophia; DE
KATZ, Simeon; DE
ZENGER, Marcus; DE
Agent:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Priority Data:
10 2016 104 280.309.03.2016DE
Title (EN) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRCATION D’UN COMPOSANT OPTOELECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHE BAUELEMENTS
Abstract:
(EN) An optoelectronic component (50) is disclosed, comprising a semiconductor body (10a-c) having an optically active region (12), further comprising a carrier (60) and a connection layer pair (30a-c) having a first connection layer (32) and a second connection layer (34), wherein: the semiconductor body is arranged on the carrier, the first connection layer is arranged between the semiconductor body and the carrier and is connected to the semiconductor body, the second connection layer is arranged between the first connection layer and the carrier, at least one layer selected from the first connection layer and the second connection layer contains a radiation-transmissive and electrically conductive oxide, and the first connection layer and the second connection layer are directly connected to one another at least regionally in one or a plurality of connection regions, such that the connection layer pair is involved in the mechanical linking of the semiconductor body to the carrier. The first and/or second connection layer have/has a plurality of electrically conductive portions (80, 82) that are electrically insulated from one another within the respective layer, wherein at least two of said portions are electrically conductively connected to the semiconductor body on different sides of the optically active region.
(FR) L’invention concerne un composant optoélectronique (50) comprenant un corps semi-conducteur (10a-c) qui comporte une région optiquement active (12), et comprenant en outre un support (60) et une paire de couches de liaison (30a-c) qui possède une première couche de liaison (32) et une seconde couche de liaison (34). Le corps semi-conducteur est disposé sur le support, la première couche de liaison est disposée entre le corps semi-conducteur et le support et est relié au corps semi-conducteur, la seconde couche de liaison est disposée entre la première couche de liaison et le support, au moins une couche choisie parmi la première couche de liaison et la seconde couche de liaison contient un oxyde électroconducteur et perméable aux rayonnements et la première couche de liaison et la seconde couche de liaison sont reliées directement entre elles au moins par endroits dans une ou plusieurs zones de liaison de sorte que la paire de couches de liaison est impliquée dans la liaison mécanique du corps semi-conducteur au support. La première et/ou la seconde couche de liaison comporte une pluralité de zones (80, 82) électroconductrices et isolées électriquement les unes des autres dans la couche respective. Au moins deux de ces zones sont reliées de manière électroconductrice au corps semi-conducteur sur des côtés différents de la région optiquement active.
(DE) Es wird ein optoelektronisches Bauelement (50) mit einem Halbleiterkörper (10a-c), der einen optisch aktiven Bereich (12) aufweist, weiter mit einem Träger (60) und einem Verbindungsschichtenpaar (30a-c), das eine erste Verbindungsschicht (32) und eine zweite Verbindungsschicht (34) aufweist, angegeben, wobei: der Halbleiterkörper auf dem Träger angeordnet ist, die erste Verbindungsschicht zwischen dem Halbleiterkörper und dem Träger angeordnet und mit dem Halbleiterkörper verbunden ist, die zweite Verbindungsschicht zwischen der ersten Verbindungsschicht und dem Träger angeordnet ist, zumindest eine Schicht ausgewählt aus der ersten Verbindungsschicht und der zweiten Verbindungsschicht ein strahlungsdurchlässiges und elektrisch leitfähiges Oxid enthält, und die erste Verbindungsschicht und die zweite Verbindungsschicht zumindest bereichsweise in einem oder mehreren Verbindungsbereichen direkt miteinander verbunden sind, so dass das Verbindungsschichtenpaar an der mechanischen Anbindung des Halbleiterkörpers an den Träger beteiligt ist. Die erste und/oder zweite Verbindungsschicht aufweist eine Mehrzahl von innerhalb der jeweiligen Schicht elektrisch voneinander isolierten, elektrisch leitfähigen Teilbereichen (80, 82), wobei zumindest zwei dieser Teilbereiche mit dem Halbleiterkörper auf verschiedenen Seiten des optisch aktiven Bereichs elektrisch leitfähig verbunden sind.
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)