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1. (WO2017152522) METAL OXIDE THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND ARRAY SUBSTRATE
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Pub. No.: WO/2017/152522 International Application No.: PCT/CN2016/084762
Publication Date: 14.09.2017 International Filing Date: 03.06.2016
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 29/786][IPC code unknown for H01L 21/336]
Applicants:
深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区塘明大道9-2号丁珂 DING, Ke No.9-2 Tangming Rd, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventors:
姚江波 YAO, Jiangbo; CN
Agent:
深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) ESSEN PATENT & TRADEMARK AGENCY; 中国广东省深圳市 福田区深南大道6021号喜年中心A座1709-1711 Hailrun Complex Block A Room 1709-1711 No.6021 Shennan Blvd,Futian District ShenZhen, Guangdong 518040, CN
Priority Data:
201610140444.411.03.2016CN
Title (EN) METAL OXIDE THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND ARRAY SUBSTRATE
(FR) TRANSISTOR EN COUCHES MINCES À BASE D’OXYDE DE MÉTAL, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET SUBSTRAT DE RÉSEAU
(ZH) 金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板
Abstract:
(EN) A metal oxide thin film transistor and a manufacturing method therefor, and an array substrate. The metal oxide thin film transistor comprises: a glass substrate (10); a gate electrode (20); a gate electrode insulating layer (30); a metal oxide active layer (40); an etch barrier layer (50), the etch barrier layer being provided with a source electrode through hole and a drain electrode through hole; a diffusion barrier layer comprising a source electrode barrier layer (60) and a drain electrode barrier layer (70), the diffusion barrier layer being doped with boron ions and/or phosphorus ions of a predetermined concentration; a source electrode (80) and a drain electrode (90).
(FR) L’invention concerne un transistor en couches minces à base d’oxyde de métal et son procédé de fabrication, ainsi qu’un substrat de réseau. Le transistor en couches minces à base d’oxyde de métal comprend : un substrat en verre (10) ; une électrode de grille (20) ; une couche d’isolation d’électrode de grille (30) ; une couche active d’oxyde de métal (40) ; une couche de barrière de gravure (50), la couche de barrière de gravure étant pourvue d'un trou traversant d’électrode de source et d'un trou traversant d’électrode déversoir ; une couche de barrière de diffusion comprenant une couche de barrière d’électrode de source (60) et une couche de barrière d’électrode déversoir (70), la couche de barrière de diffusion étant dopée avec des ions bore et/ou des ions phosphore d’une concentration prédéterminée ; une électrode de source (80) et une électrode déversoir (90).
(ZH) 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板,金属氧化物薄膜晶体管包括:玻璃基板(10)、栅极(20)、栅极绝缘层(30)、金属氧化物有源层(40)、刻蚀阻挡层(50),刻蚀阻挡层设置有源极通孔以及漏极通孔;扩散阻挡层,包括源极阻挡层(60)和漏极阻挡层(70),扩散阻挡层中掺杂有预定浓度的硼离子和/或磷离子;源极(80)以及漏极(90)。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)