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1. (WO2017152392) FLASH MEMORY DEVICE REFRESHING METHOD AND APPARATUS
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Pub. No.: WO/2017/152392 International Application No.: PCT/CN2016/075958
Publication Date: 14.09.2017 International Filing Date: 09.03.2016
IPC:
G11C 11/406 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
11
Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21
using electric elements
34
using semiconductor devices
40
using transistors
401
forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
406
Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
Applicants:
华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 龙岗区坂田华为总部办公楼 Huawei Administration Building, Bantian,Longgang District Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Inventors:
石亮 SHI, Liang; CN
底晔佳 DI, Yejia; CN
沙行勉 SHA, Hsing Mean; CN
王元钢 WANG, Yuangang; CN
单东方 SHAN, Dongfang; CN
Priority Data:
Title (EN) FLASH MEMORY DEVICE REFRESHING METHOD AND APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE RAFRAÎCHISSEMENT DE DISPOSITIF À MÉMOIRE FLASH
(ZH) 一种闪存设备的刷新方法和装置
Abstract:
(EN) A method and apparatus for refreshing a flash memory device, achieving optimization of refresh operations for flash memories. The method comprises: a memory controller (112) reading first data from a first flash block (S402) and determining a bit error rate of the first data (S404); when the bit error rate is greater than a preset threshold (S406), the memory controller (112) determining a refresh cycle of the first flash block on the basis of the number of erasures of the first flash block (S410), and performing a refresh operation on the first flash block according to the determined refresh cycle (S412). The present method takes into account process differences between flash blocks of a flash memory device (108), and by using flash blocks as the granularity and by monitoring the actual bit error rate of each flash block, the method is able to maximize the performance potential for the flash blocks. The method not only ensures that the stored data is correct, but also delays the updating of the refresh cycle as much as possible and slows down wear of the flash blocks caused by refresh operations, thereby improving the performance of the flash memory device as a whole.
(FR) L'invention concerne un procédé et un appareil pour rafraîchir un dispositif à mémoire flash, en optimisant ainsi des opérations de rafraîchissement de mémoires flash. Le procédé comprend : une unité de commande de mémoire (112) lisant des premières données à partir d'un premier bloc flash (S402) et déterminant un taux d'erreur binaire des premières données (S404) ; lorsque le taux d'erreur binaire est supérieur à un seuil prédéfini (S406), l'unité de commande de mémoire (112) déterminant un cycle de rafraîchissement du premier bloc flash sur la base du nombre d'effacements du premier bloc flash (S410), et réalisant une opération de rafraîchissement sur le premier bloc flash selon le cycle de rafraîchissement déterminé (S412). Le présent procédé prend en compte des différences de processus entre des blocs flash d'un dispositif de mémoire flash (108) et, en utilisant des blocs flash comme granularité et en surveillant le taux d'erreur binaire réel de chaque bloc flash, le procédé est apte à maximiser le potentiel de performance des blocs flash. Le procédé assure non seulement que les données stockées sont correctes, mais retarde également la mise à jour du cycle de rafraîchissement autant que possible et ralentit l'usure des blocs flash provoquée par des opérations de rafraîchissement, en améliorant ainsi la performance du dispositif de mémoire flash dans son ensemble.
(ZH) 一种闪存设备的刷新方法和装置,实现了对闪存设备的刷新操作的优化。该方法包括:存储控制器(112)从第一闪存块中读取第一数据(S402),并确定第一数据的误码率(S404);在误码率大于预设的阈值的情况下(S406),存储控制器(112)根据第一闪存块的擦除次数,确定第一闪存块的刷新周期(S410),并根据确定的刷新周期,对第一闪存块进行刷新操作(S412)。该方法考虑到闪存设备(108)的闪存块之间的工艺差异,以闪存块为粒度,通过对闪存块实际误码率的监控,在最大限度上挖掘了闪存块的性能潜力,即保证了保存的数据的正确性,又最大限度的推迟了刷新周期的更新,减缓了因刷新操作对闪存块的磨损,从而在总体上提升了闪存设备的性能。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)