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1. (WO2017151827) OUTPUT DRIVE WITH POWER DOWN PROTECTION
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Pub. No.: WO/2017/151827 International Application No.: PCT/US2017/020294
Publication Date: 08.09.2017 International Filing Date: 01.03.2017
IPC:
H01L 29/94 (2006.01) ,H01L 29/772 (2006.01) ,H01L 21/8224 (2006.01) ,H02H 7/09 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 29/94][IPC code unknown for H01L 29/772][IPC code unknown for H01L 21/8224][IPC code unknown for H02H 7/09]
Applicants:
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O.Box 655474, Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474, US
TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED [JP/JP]; 24-1, Nishi-Shinjuku 6-Chome Shinijuku-ku Tokyo, 160-8366, JP (JP)
Inventors:
WU, Xiaoju; US
KELOTH, Rajesh; IN
PRASAD, Sudheer; IN
Agent:
DAVIS, Michael, A. Jr.; US
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED; US
Priority Data:
15/386,25221.12.2016US
62/301,80401.03.2016US
Title (EN) OUTPUT DRIVE WITH POWER DOWN PROTECTION
(FR) ENTRAÎNEMENT DE SORTIE AVEC PROTECTION CONTRE LES COUPURES DE COURANT
Abstract:
(EN) In described examples, an interface device (300) includes an NPN structure (Ql) along a horizontal surface of a p-doped substrate (204). The NPN structure (300) has a first n-doped region (242) coupled to an output terminal (106), a p-doped region (232, 243, 245) surrounding the first n-doped region (242) and coupled to the output terminal (107), and a second n-doped region (244) separated from the first n-doped region (242) by the p-doped region (243). The interface device (300) also includes a PNP structure (230) along a vertical depth of the p-doped substrate (204). The PNP structure (230) includes the p-doped region (243), an n-doped layer (234) under the p-doped region (243), and the p-doped substrate (204). Advantageously, the interface device (300) can withstand high voltage swing (both positive and negative), prevent sinking and sourcing large load current, and avoid entering into a low resistance mode during power down operations.
(FR) L'invention concerne, dans des exemples décrits, un dispositif interface (300) comprenant une structure NPN (QI) le long d'une surface horizontale d'un substrat à dopage p (204). La structure NPN (300) a une première région à dopage n (242) accouplée à une borne de sortie (106), une région à dopage p (232, 243, 245) entourant la première région à dopage n (242) et accouplée à la borne de sortie (107) et une seconde région à dopage n (244) séparée de la première région à dopage n (242) par la région à dopage p (243). Le dispositif interface (300) comprend également une structure PNP (230) le long d'une profondeur verticale du substrat à dopage p (204). La structure PNP (230) comprend la région à dopage p (243), une couche à dopage n (234) sous la région à dopage p (243) et le substrat à dopage p (204). De manière avantageuse, le dispositif interface (300) peut résister à une variation de tension élevée (positive et négative), empêcher la chute et l'approvisionnement de courant à forte charge et éviter d'entrer dans un mode à faible résistance pendant des opérations de coupure de courant.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)