Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2017148215) PRESSURE GAUGE CHIP AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2017/148215 International Application No.: PCT/CN2017/000198
Publication Date: 08.09.2017 International Filing Date: 28.02.2017
IPC:
G01L 1/18 (2006.01)
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
L
MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
1
Measuring force or stress, in general
18
using properties of piezo-resistive materials, i.e. materials of which the ohmic resistance varies according to changes in magnitude or direction of force applied to the material
Applicants:
王文 WONG, Man [CN/CN]; CN
中国科学院地质与地球物理研究所 INSTITUTE OF GEOLOGY AND GEOPHYSICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区北土城西路19号 19 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029, CN
Inventors:
王文 WONG, Man; CN
周显良 CHAU, Kevin; CN
Agent:
北京金之桥知识产权代理有限公司 BEIJING GOLDEN-BRIDGE IP AGENCY CO., LTD.; 中国北京市 海淀区知春路6号锦秋国际大厦A座608 A608 Horizon International Tower No.6 Zhichun Road, Haidian District Beijing 100088, CN
Priority Data:
201610124330.004.03.2016CN
Title (EN) PRESSURE GAUGE CHIP AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF
(FR) PUCE DE MANOMÈTRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种压力计芯片及其制造工艺
Abstract:
(EN) Provided are a pressure gauge chip (31) and a manufacturing method thereof. A pressure gauge comprises a chamber (33) and the pressure gauge chip (31) arranged in the chamber (33), wherein the pressure gauge chip (31) is uniformly compressed in the chamber (33) by the external pressure being detected, and can freely deform. The pressure gauge chip (31) is basically made of monocrystalline silicon and comprises a substrate (6) and a cover plate (3) that are connected to each other. The cover plate (3) is provided with a recessed portion (5) and forms a sealed cavity together with the substrate (6). A silicon oxide layer (4) is formed between the substrate (6) and the cover plate (3). The substrate (6) comprises a piezoresistive measuring element (23) located in the cavity. The pressure gauge chip (31) is suited for measuring ultra-high pressures, is less affected by temperature and thus can be used in a high temperature environment, and features high detection accuracy, high reliability and low manufacturing costs.
(FR) La présente invention concerne une puce de manomètre (31) et son procédé de fabrication. Un manomètre comprend une chambre (33) et la puce de manomètre (31) est disposée dans la chambre (33), la puce de manomètre (31) est comprimée uniformément dans la chambre (33) par la pression externe qui est détectée et peut se déformer librement. La puce de manomètre (31) est essentiellement constituée de silicium monocristallin et comprend un substrat (6) et une plaque de recouvrement (3) qui sont reliés l'un à l'autre. La plaque de recouvrement (3) comporte une partie renfoncée (5) et forme une cavité étanche avec le substrat (6). Une couche d'oxyde de silicium (4) est formée entre le substrat (6) et la plaque de recouvrement (3). Le substrat (6) comprend un élément piézorésistif de mesure (23) situé dans la cavité. La puce de manomètre (31) est appropriée pour mesurer des pressions ultra-élevées, est moins affectée par la température et peut donc être utilisée dans un environnement à température élevée, et présente une précision de détection élevée et une fiabilité élevée, et est peu coûteuse à fabriquer.
(ZH) 一种压力计芯片(31)以及其制造方法。一种压力计,包括腔体(33)、以及设置在腔体(33)内的压力计芯片(31);压力计芯片(31)在腔体(33)内受被检测的外界压力均匀压缩并且能够自由的产生形变。压力计芯片(31)基本由单晶硅制成,包括相互连接的基板(6)及盖板(3);盖板(3)上形成有凹陷部(5),并与基板(6)形成一个密封空腔,基板(6)与盖板(3)之间形成有氧化硅层(4);基板(6)包括压阻测量元件(23),压阻测量元件(23)位于空腔之内。本压力计芯片(31)适合测量超高压力,受温度影响较小,可以在高温的环境中使用,而且具有检测精度高、可靠性高、制造成本低等特点。
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)