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1. (WO2017148144) ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND DISPLAY APPARATUS
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Pub. No.: WO/2017/148144 International Application No.: PCT/CN2016/100815
Publication Date: 08.09.2017 International Filing Date: 29.09.2016
IPC:
H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 21/77 (2017.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27
Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02
including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12
the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70
Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in or on a common substrate or of specific parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of specific parts thereof
77
Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
Applicants:
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
合肥鑫晟光电科技有限公司 HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国安徽省合肥市 新站区工业园 Xinzhan Industrial Park Hefei, Anhui 230012, CN
Inventors:
卢彦春 LU, Yanchun; CN
蒋学兵 JIANG, Xuebing; CN
Agent:
北京银龙知识产权代理有限公司 DRAGON INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; 中国北京市 海淀区西直门北大街32号院枫蓝国际中心2号楼10层 10F, Bldg. 2, Maples International Center No. 32 Xizhimen North Street, Haidian District Beijing 100082, CN
Priority Data:
201610115048.601.03.2016CN
Title (EN) ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND DISPLAY APPARATUS
(FR) SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET APPAREIL D'AFFICHAGE
(ZH) 阵列基板及其制作方法、显示装置
Abstract:
(EN) An array substrate and a manufacturing method therefor, and a display apparatus. The method comprises: forming, on a substrate (1), a thin film transistor (TFT) structure of a display area and a TFT structure of an array substrate row drive (GOA) area; forming, on the TFT structure, a first insulation layer (8), an ITO layer (9) and a photoresist layer (10) sequentially; performing exposure development on the photoresist layer and etching the ITO layer using a halftone mask, so as to form a GOA area electrode layer (11) and a display area electrode layer (12), wherein the thickness of the remaining photoresist on the GOA area electrode layer is greater than the thickness of the remaining photoresist on the display area electrode layer; and performing ashing processing on the remaining photoresist, so as to completely remove the photoresist on the display area electrode layer and thin the photoresist on the GOA area electrode layer. The GOA area electrode layer is connected to a gate line metal layer (3) of the TFT structure of the GOA area via a first via hole, and the GOA area electrode layer is connected to a data line metal layer (7) of the TFT structure of the GOA area via a second via hole.
(FR) L'invention concerne un substrat de réseau et son procédé de fabrication, ainsi qu'un appareil d'affichage. Le procédé consiste : à former, sur un substrat (1), une structure de transistor en couches minces (TFT) d’une zone d’affichage et une structure de TFT d’une zone d’entraînement de rangée de substrat de réseau (GOA) ; à former, sur la structure de TFT, une première couche d’isolation (8), une couche ITO (9) et une couche de photo-résine (10) séquentiellement ; à réaliser un développement d’exposition sur la couche de photo-résine et à graver la couche ITO à l’aide d’un masque en simili, de façon à former une couche d’électrode de zone de GOA (11) et une couche d’électrode de zone d’affichage (12), l’épaisseur de la photo-résine restante sur la couche d’électrode de zone de GOA étant supérieure à l’épaisseur de la photo-résine restante de la couche d’électrode de zone d’affichage ; et à réaliser un traitement d’incinération sur la photo-résine restante, de façon à éliminer complètement la photo-résine sur la couche d’électrode de zone d’affichage et à amincir la photo-résine sur la couche d’électrode de zone de GOA. La couche d’électrode de zone de GOA est reliée à une couche métallique de ligne de grille (3) de la structure de TFT de la zone de GOA par l’intermédiaire d’un premier trou de raccordement, et la couche d’électrode de zone de GOA est reliée à une couche métallique de ligne de données (7) de la structure de TFT de la zone de GOA par l’intermédiaire d’un second trou traversant.
(ZH) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置。其中,方法包括:在衬底(1)上形成显示区域的薄膜晶体管(TFT)结构及阵列基板行驱动(GOA)区域的TFT结构;在TFT结构上依次形成第一绝缘层(8)、ITO层(9)及光刻胶层(10);采用半色调掩膜板,对该光刻胶层进行曝光显影,并对该ITO层进行刻蚀,形成GOA区域电极层(11)及显示区域电极层(12),该GOA区域电极层上剩余光刻胶的厚度大于该显示区域电极层上剩余光刻胶的厚度;对剩余光刻胶进行灰化处理,以完全去除该显示区域电极层上的光刻胶,及减薄该GOA区域电极层上的光刻胶。该GOA区域电极层通过第一过孔与GOA区域的TFT结构的栅线金属层(3)连接,该GOA区域电极层通过第二过孔与GOA区域的TFT结构的数据线金属层(7)连接。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)