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1. (WO2017148126) ELECTROSTATIC CHUCK DEVICE
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Pub. No.: WO/2017/148126 International Application No.: PCT/CN2016/098250
Publication Date: 08.09.2017 International Filing Date: 06.09.2016
IPC:
H01L 21/683 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67
Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components
683
for supporting or gripping
Applicants:
北京华卓精科科技股份有限公司 BEIJING U-PRECISION TECH CO., LTD [CN/CN]; 中国北京市 海淀区清华大学学研综合楼B1009室 Room B1009 Xueyan Complex, Tsinghua University, Haidian District Beijing 100084, CN
Inventors:
朱煜 ZHU, Yu; CN
徐登峰 XU, Dengfeng; CN
许岩 XU, Yan; CN
杨鹏远 YANG, Pengyuan; CN
穆海华 MU, Haihua; CN
成荣 CHENG, Rong; CN
唐娜娜 TANG, Nana; CN
韩玮琦 HAN, Weiqi; CN
张鸣 ZHANG, Ming; CN
杨开明 YANG, Kaiming; CN
Agent:
北京恩赫律师事务所 BEIJING ENHO LAW FIRM; 中国北京市 海淀区中关村东路18号财智国际大厦A座805、806室,刘守宪 Liushouxian, Room 805/806 Block A, Intelli-Center No.18 Zhongguancun East Road Haidian District, Beijing 100083, CN
Priority Data:
201610122355.703.03.2016CN
Title (EN) ELECTROSTATIC CHUCK DEVICE
(FR) DISPOSITIF MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE
(ZH) 静电卡盘装置
Abstract:
(EN) An electrostatic chuck device, relating to the technical field of semiconductor wafer processing. The electrostatic chuck device comprises: a first insulation layer (4), a second insulation layer (6), an electrode layer (5), and a metal layer (7), wherein the first insulation layer (4) is provided above the second insulation layer (6); the electrode layer (5) is provided between the first insulation layer (4) and the second insulation layer (6); the second insulation layer (6) is provided on the metal layer (7); and the first insulation layer (4) is made of a sapphire material. The electrostatic chuck device improves the surface plasma ablation resisting capability, and overcomes the difficulty of sintering a ceramic layer of the conventional electrostatic chunk under high temperature.
(FR) L'invention porte sur le domaine technique du traitement des plaquettes semi-conductrices et concerne un dispositif mandrin électrostatique. Le dispositif mandrin électrostatique selon l'invention comprend : une première couche d'isolation (4), une deuxième couche d'isolation (6), une couche d'électrode (5) et une couche métallique (7), la première couche d'isolation (4) étant disposée au-dessus de la deuxième couche d'isolation (6) ; la couche d'électrode (5) étant disposée entre la première (4) et la deuxième couche d'isolation (6) ; la deuxième couche d'isolation (6) étant disposée sur la couche métallique (7) ; et la première couche d'isolation (4) étant constituée d'un matériau de saphir. Ce dispositif mandrin électrostatique améliore la capacité de résistance à l'ablation par plasma de surface et permet de surmonter la difficulté liée au frittage d'une couche céramique d'un mandrin électrostatique classique à haute température.
(ZH) 一种静电卡盘装置,属于半导体晶片加工技术领域,所述静电卡盘装置包括第一绝缘层(4)、第二绝缘层(6)、电极层(5)和金属层(7),所述第一绝缘层(4)设置在第二绝缘层(6)的上方,所述电极层(5)设置在所述第一绝缘层(4)和第二绝缘层(6)之间,所述第二绝缘层(6)设置在所述金属层(7)上,所述第一绝缘层(4)为蓝宝石材料。该静电卡盘装置提升了表面抗等离子体侵蚀能力、规避了传统静电卡盘陶瓷层需经历高温烧结的工艺难度。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)