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1. (WO2017147947) HIGH POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR COMPLEMENTARY OUTPUT CIRCUIT HAVING NO SOURCE RESISTANCE
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Pub. No.: WO/2017/147947 International Application No.: PCT/CN2016/076048
Publication Date: 08.09.2017 International Filing Date: 10.03.2016
IPC:
H03K 19/0185 (2006.01)
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
K
PULSE TECHNIQUE
19
Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
0175
Coupling arrangements; Interface arrangements
0185
using field-effect transistors only
Applicants:
广州时艺音响科技有限公司 GUANGZHOU TIME ART AUDIO TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; 中国广东省广州市 开发区科丰路31号华南新材料创新园G1栋A317马丽丽 Ma Lili Room A317, Building G1, South China Advanced Materials Innovation Park, No.31, Kefeng Road, Guangzhou Development District Guangzhou, Guangdong 510000, CN
Inventors:
刘广斌 LIU, Dennis; CN
Agent:
北京市盈科律师事务所 BEIJING YINGKE LAW FIRM; 中国广东省广州市 天河区珠江新城冼村路5号凯华国际中心7-9楼 JIANG, Jinli 7-9/F, Central Tower, No.5 Xiancun Road, Zhujiang New Town, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623, CN
Priority Data:
201610128407.104.03.2016CN
Title (EN) HIGH POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR COMPLEMENTARY OUTPUT CIRCUIT HAVING NO SOURCE RESISTANCE
(FR) CIRCUIT DE SORTIE COMPLÉMENTAIRE DE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP DE GRANDE PUISSANCE NE PRÉSENTANT AUCUNE RÉSISTANCE DE SOURCE
(ZH) 一种无源极电阻的大功率场效应管互补输出电路
Abstract:
(EN) Provided is a high power field effect transistor complementary output circuit having no source resistance, mainly comprising a field effect transistor complementary output branch, a first field effect transistor bias branch, a second field effect transistor bias branch, a first voltage dividing transistor group branch, a second voltage dividing transistor group branch, a first voltage dividing transistor group bias branch, and a second voltage dividing transistor group bias branch. The first voltage dividing transistor group branch and the second voltage dividing transistor group branch can bear most of voltage and dissipated power, so as to remove the source resistance at an output end of the field effect transistor complementary output branch, achieve low output impedance, and have large power output capability, and high voltage resistant high power complementary output.
(FR) L'invention concerne un circuit de sortie complémentaire de transistor à effet de champ de grande puissance n'ayant aucune résistance de source, comprenant principalement une branche de sortie complémentaire de transistor à effet de champ, une première branche de polarisation de transistor à effet de champ, une seconde branche de polarisation de transistor à effet de champ, une première branche de groupe de transistors de diviseur de tension, une seconde branche de groupe de transistors de diviseur de tension, une première branche de polarisation de groupe de transistors de diviseur de tension, et une seconde branche de polarisation de groupe de transistors de diviseur de tension. La première branche de groupe de transistors de diviseur de tension et la seconde branche de groupe de transistors de diviseur de tension peuvent supporter la majeure partie de la tension et de la puissance dissipée, de façon à éliminer la résistance de source à une extrémité de sortie de la branche de sortie complémentaire de transistor à effet de champ, à obtenir une faible impédance de sortie, et à avoir une grande capacité de sortie de puissance, et une sortie complémentaire de grande puissance résistante aux tensions élevées.
(ZH) 提供一种无源极电阻的大功率场效应管互补输出电路,其主要包括场效应管互补输出支路、第一场效应管偏置支路、第二场效应管偏置支路、第一分压管组支路、第二分压管组支路、第一分压管组偏置支路和第二分压管组偏置支路;其中第一分压管组支路及第二分压管组支路能够承受大部分的电压及耗散功率,从而可去除场效应管互补输出支路输出端的源极电阻,实现低输出阻抗,拥有大的电流输出能力和高耐压的大功率互补输出。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)