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1. (WO2017147773) OPTOCOUPLER AND LIGHT PROCESSING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2017/147773 International Application No.: PCT/CN2016/075134
Publication Date: 08.09.2017 International Filing Date: 01.03.2016
IPC:
G02B 6/34 (2006.01) ,G02B 6/125 (2006.01)
G PHYSICS
02
OPTICS
B
OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6
Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
24
Coupling light guides
26
Optical coupling means
34
utilising prism or grating
G PHYSICS
02
OPTICS
B
OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6
Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
10
of the optical waveguide type
12
of the integrated circuit kind
122
Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
125
Bends, branchings or intersections
Applicants:
华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 龙岗区坂田华为总部办公楼 Huawei Administration Building, Bantian, Longgang District Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Inventors:
汪敬 WANG, Jing; CN
刘磊 LIU, Lei; CN
刘宁 LIU, Ning; CN
Agent:
北京同达信恒知识产权代理有限公司 TDIP & PARTNERS; 中国北京市海淀区宝盛南路1号院20号楼8层101-01 101-01, 8/F, Building 20, No.1 Baosheng South Road Haidian District Beijing 100192, CN
Priority Data:
Title (EN) OPTOCOUPLER AND LIGHT PROCESSING METHOD
(FR) OPTOCOUPLEUR ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE LUMIÈRE
(ZH) 一种光耦合器及光处理方法
Abstract:
(EN) An optocoupler comprises a silicon substrate (10), a buried oxide layer (20) on the silicon substrate (10), and a top silicon layer (30) on the buried oxide layer. The top silicon layer comprises a plurality of parallel subwavelength silicon grating elements (310) and an optical coupling area (32). Two ends of all the subwavelength silicon grating elements are connected to external optical fibers and the optical coupling area, respectively, and widths of the ends connected to the external optical fibers are less than those of the other ends connected to the optical coupling area. Each of the subwavelength silicon grating elements couples, to the top silicon layer, light transmitted from the external optical fiber, and decreases a spot size of the light transmitted to the optical coupling area to a spot size of light in a target waveguide. The optical coupling area is used to combine light input from the plurality of subwavelength silicon grating elements, and transmit the light to the target waveguide, thereby resolving the problem in the prior art of lacking a optocoupler having high coupling efficiency and low technology costs. Also disclosed is a light processing method.
(FR) L'invention concerne un optocoupleur qui comprend un substrat de silicium (10), une couche d'oxyde enterrée (20) sur le substrat de silicium (10) et une couche de silicium supérieure (30) sur la couche d'oxyde enterrée. La couche de silicium supérieure comprend une pluralité d'éléments de réseau de silicium de sous-longueur d'onde parallèles (310) et une zone de couplage optique (32). Deux extrémités de tous les éléments de réseau de silicium de sous-longueur d'onde sont reliées à des fibres optiques externes et à la zone de couplage optique, respectivement, et les largeurs des extrémités reliées aux fibres optiques externes sont inférieures à celles des autres extrémités reliées à la zone de couplage optique. Chacun des éléments de réseau de silicium de sous-longueur d'onde couple, à la couche de silicium supérieure, une lumière transmise provenant de la fibre optique externe, et diminue une taille de point de la lumière transmise à la zone de couplage optique en une taille de point de lumière dans un guide d'ondes cible. La zone de couplage optique est utilisée pour combiner une entrée de lumière provenant de la pluralité d'éléments de réseau de silicium de sous-longueur d'onde, et transmettre la lumière au guide d'ondes cible, ce qui permet de résoudre le problème de l'état antérieur de la technique du manque d'un optocoupleur ayant une efficacité de couplage élevée et de faibles coûts technologiques. L'invention concerne également un procédé de traitement de lumière.
(ZH) 一种光耦合器,包括:硅衬底(10)、位于硅衬底上的埋氧层(20)以及位于埋氧层上的顶硅层(30),顶硅层包括多个并排的亚波长硅光栅(310)以及合光区(32)。多个亚波长硅光栅的两端均分别与外部光纤及合光区相接,且多个亚波长硅光栅的与外部光纤相接的一端的宽度小于与合光区相接的一端的宽度。每个亚波长硅光栅用于将从外部光纤射入的光耦合入顶硅层中,并将在自身中向合光区方向传播的光的光斑尺寸减小至目标波导中光的光斑尺寸。合光区用于将从多个亚波长硅光栅输入的光合并,然后将光传输至目标波导,从而解决了现有技术中缺乏高耦合效率且低工艺成本的光耦合器的问题。还公开了一种光处理方法。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)