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1. (WO2017147767) CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD
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Pub. No.: WO/2017/147767 International Application No.: PCT/CN2016/075070
Publication Date: 08.09.2017 International Filing Date: 01.03.2016
IPC:
C09G 1/04 (2006.01) ,C09G 1/02 (2006.01) ,C09K 3/14 (2006.01)
[IPC code unknown for C09G 1/04][IPC code unknown for C09G 1/02][IPC code unknown for C09K 3/14]
Applicants:
TSAI, Wei-Wen [US/CN]; CN (SC)
HO, Lin-Chen [CN/CN]; CN (SC)
LEE, Cheng-Ping [CN/CN]; CN (SC)
WANG, Jiun-Fang [CN/CN]; CN (SC)
ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC. [US/US]; 451 Bellevue Road Newark, Delaware 19713, US
Inventors:
TSAI, Wei-Wen; CN
HO, Lin-Chen; CN
LEE, Cheng-Ping; CN
WANG, Jiun-Fang; CN
Agent:
SHANGHAI PATENT & TRADEMARK LAW OFFICE, LLC; 435 Guiping Road Shanghai 200233, CN
Priority Data:
Title (EN) CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE POLISSAGE MÉCANO-CHIMIQUE
Abstract:
(EN) A process for chemical mechanical polishing a substrate containing tungsten and titanium is provided comprising : providing the substrate; providing a polishing composition, containing, as initial components : water; an oxidizing agent; a chitosan; a dicarboxylic acid, wherein the dicarboxylic acid is selected from the group consisting of propanedioic acid and 2-hydroxypropanedioic acid; a source of iron ions; a colloidal silica abrasive with a positive surface charge; and, optionally pH adjusting agent; providing a chemical mechanical polishing pad, having a polishing surface; creating dynamic contact at an interface between the polishing pad and the substrate; and dispensing the polishing composition onto the polishing surface at or near the interface between the polishing pad and the substrate; wherein some of the tungsten (W) and some of the titanium (Ti) is polished away from the substrate with a removal selectivity for the tungsten (W) relative to the titanium (Ti).
(FR) La présente invention décrit un procédé de polissage mécano-chimique d’un substrat contenant du tungstène et du titane comprenant : la préparation du substrat ; la préparation d’une composition de polissage, contenant, comme constituants de départ : de l’eau ; un agent oxydant ; un chitosane ; un acide dicarboxylique, où l’acide dicarboxylique est sélectionné dans le groupe constitué par l’acide propanedioïque et l’acide 2-hydroxypropanedioïque ; une source d’ions fer ; un abrasif de silice colloïdale ayant une charge de surface positive ; et, éventuellement un agent de réglage du pH ; la préparation d’un tampon de polissage mécano-chimique, ayant une surface de polissage ; la création d’un contact dynamique à une interface entre le tampon de polissage et le substrat ; et la répartition de la composition de polissage sur la surface de polissage au niveau ou près de l’interface entre le tampon de polissage et le substrat ; où une partie du tungstène (W) et une partie du titane (Ti) est séparée par polissage du substrat avec un sélectivité d’élimination du tungstène (W) par rapport au titane (Ti).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)